5月7日消息，綜合外媒The Elec、tomshardware報道，SK海力士正在測試日本半導體設備大廠東京電子（TEL）最新的低溫蝕刻設備，可以在-70°C工作，以實現400層以上新型3D NAND。

報道稱，東京電子的低溫蝕刻設備可以在-70°C的冷卻溫度下運行，這與當前蝕刻工藝的0°C至30°C範圍形成了鮮明對比，使得其“刻蝕深孔”的速度達到了傳統刻蝕設備的三倍（能夠在33分鐘內以高縱橫比進行10µm深的蝕刻），這一能力將有助於具有400多個有源層的3D NAND的制造，並重塑3D NAND器件的生產時間表和輸出質量。

當談到生產3D NAND時，有些人可能會說“蝕刻垂直孔”很簡單，但事實並非如此。事實上，蝕刻具有良好均勻性的深存儲器溝道孔是一個挑战，這就是爲什么該行業對3D NAND採用了雙堆疊甚至三堆疊（構建兩個或三個獨立的堆疊，而不是一個具有“深”溝道孔的堆疊）。

SK海力士的321層3D NAND產品據說採用了三層堆疊結構。隨着東京電子新低溫蝕刻設備的採用，將使得在單堆疊或雙堆疊中構建400層3D NAND器件成爲可能，這也意味着更高的生產效率。未來超過400層的產品是否會過渡到單層或雙層的決定將取決於該工具的可靠性以及它是否能夠始終如一地再現其結果。

東京電子低溫刻蝕設備的一個顯著環境優勢是使用氟化氫（HF）氣體，其全球變暖潛能值（GWP）小於1。與傳統使用的全氟化碳（如四氟化碳（CF4）和八氟丙烷（C4F8））相比，這是一個顯著的減少，它們的全球升溫潛能值分別爲6030和9540。因此，東京電子新的低溫刻蝕設備的潛在採用反映了行業朝着更環保的制造實踐發展的趨勢。

據了解，目前SK海力士已經將測試晶圓送往日本的東京電子實驗室，以便SK海力士無需將實際設備運送並安裝到其晶圓廠就能有效地評估該技術的潛力。而三星電子正在同時通過進口該設備的演示版本來評估相同的技術。這些測試的結果將決定半導體制造中低溫蝕刻技術的未來採用和潛在的標准化。

編輯：芯智訊-浪客劍

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標題：SK海力士將採用全新刻蝕設備，在零下70度制造400層以上3D NAND

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