半導體,要進入1nm以下時代了

2023-12-05 18:11:04    編輯: robot
導讀 美國英特爾正在加緊开發尖端半導體「Intel 20A」。20A中的A意爲「埃米(angstrom)」。埃米是表示1納米的10分之1的長度單位,20A指2納米。英特爾提出新的技術指標,在與台積電(TS...

美國英特爾正在加緊开發尖端半導體「Intel 20A」。20A中的A意爲「埃米(angstrom)」。埃米是表示1納米的10分之1的長度單位,20A指2納米。英特爾提出新的技術指標,在與台積電(TSMC)和三星電子的競爭中試圖扭轉劣勢。

目前,衡量半導體尖端技術的指標一般使用納米。具體是指半導體電路的线寬,電路越細半導體的處理能力和數據存儲容量越高,還能夠抑制電力消耗,並有助於半導體晶片的小型化。半導體廠商一直在競相推進全是益處的「電路微細化」。

回顧大規模集成電路(LSI)的歷史,英特爾在1971年推出的「Intel 4004」成爲起點。當時的线寬爲10微米左右,換算成納米是1萬納米。從那時起,按照半導體晶片單位面積的性能在約2年內翻一番的「摩爾定律」不斷實現微細化。

如果沒有這種半導體技術創新,智慧手機等IT產品就不會誕生。如今,汽車、白色家電、機器人、工業機械等所有工業產品的進化均由半導體拉動。

目前最尖端的是台積電和三星將量產的3納米半導體。與之相對,英特爾的最新技術是7納米。2010年代後半期,英特爾在生產技術的开發上落後,被甩在後面。

這樣的英特爾能否一躍實現20A、也就是2納米技術?答案是否定的。不容忽視的一點是,英特爾並沒有明確表示「20A」指電路线寬。

實際上,5納米、3納米等指標從約5年前开始與電路线寬的實際尺寸出現背離。目前還沒有關於應測量半導體電路的哪個位置的國際標准,台積電和三星正在量產的3納米也只是「企業方面的說辭」(半導體設計公司高管)。

英特爾宣告「埃米時代的到來」,但沒有明確說明是長度單位。這只是一個營銷口號,目的是彰顯先進形象。

那么,現在的线寬指的是什么呢?通常是把單位面積的半導體元件數與過去的自身產品進行比較,根據元件增加了多少來計算。

雖然因爲簡單易懂而經常被使用,但不能單純地用這個數值來進行性能比較。還需要關注實際的數據處理能力、數據存儲容量、省電性能、訂單量等。



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