三星電子在 EUV 曝光技術取得重大進展，韓媒 Business Korea 報導，三星電子 DS 部門研究員 Kang Young-seok 表示，三星使用的 EUV 光罩護膜（EUV pellicles）透光率（transmission rate）已達 90%，計畫再提高至 94-96%。
EUV 光罩護膜（Pellicle）是光罩上的薄膜，保護光罩免於微塵或揮發性氣體的汙染，使 EUV 順利傳輸。光罩護膜也是 EUV 曝光時的關鍵零件，目的是增加晶片生產良率，減少光罩使用時的清潔和檢驗。
三星今年初聲稱已開發出透光率達 88% 的 EUV 光罩護膜，且這款產品已經可以量產，而 Kang 表示三星 EUV 護膜透光率再度增加，達到 90%。其中，透光率 90% 的意思是只有 90% 進入薄膜的光線能到達光罩，這可能會影響電路圖案的精度。這比更常見的氟化氬（ArF）製程中使用的薄膜透光率（99.3%）還低。
當 EUV 光罩護膜在 250 瓦光源下操作時，每平方公分會產生的 5 瓦熱量，導致溫度高達 680℃ 以上，因此除了降低光源衰退外，還必須解決光罩護膜在 EUV 過程中遇到的翹曲或斷裂等散熱問題。
據報導，三星已主要客戶的部分先進 EUV 代工生產線上導入 EUV 光罩護膜。雖然三星也在 DRAM 生產線中採用 EUV 製程，但考慮到生產率和成本，該公司認為即使沒有光罩護膜也可以進行記憶體量產。
EUV 光罩護膜目前有艾司摩爾（ASML）、三井化學（Mitsui Chemicals）、信越化學、S&S Tech、FST 等業者跨足，但據 Kang 透露，三星並沒有使用韓國國內供應商提供的 EUV 光罩護膜，而是與日本三井化學合作，為唯一供應商。
雖然 FST 和 S&S Tech 等韓國公司正積極開發 EUV 光罩護膜，但還沒實現量產。相比之下，台積電早在 2019 年開始使用自行開發的光罩護膜，並已在 7 奈米以下製程的生產線使用。
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