新科技時代背景下，人工智能、能源環保、自動駕駛等需求驅動下，以氮化鎵、碳化硅等爲代表的第三代半導體材料迎來廣闊的發展前景，成爲全球的機會和關注焦點。

當前，能源技術革命從電力高端裝備的發展逐步向由材料革命的發展來帶動和引領，第三代半導體有望掀起綠色經濟革命，助力以汽車電子、光儲、風電爲代表的新能源產業和消費電源等領域高效電能轉換。其中，碳化硅作爲第三代半導體產業發展的重要基礎材料，因其優異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求。有望成爲未來最被廣泛使用的制作半導體芯片的基礎材料。特別是在新能源汽車、光伏發電、軌道交通、智能電網等領域具有明顯優勢。

近年來，隨着新能源和智能化需求的增長，對SiC材料的需求呈現出井噴式增長的態勢，根據Yole的最新預測，到2027年，SiC器件市場預計將從2021年的10億美元增長到60 億美元以上。上遊材料是SiC產業的原材料，襯底生產也是行業發展的關鍵環節，它直接決定了SiC器件的最終成本。從SiC襯底尺寸發展趨勢來看，一方面仍然會向8英寸SiC產品前進，另一方面6英寸SiC產品仍將在很長一段時間內繼續發展。Yole數據顯示，截至2022年末，全球功率SiC襯底市場中6英寸導電型襯底約80%。

爲此，在牛津儀器冠名支持下，極智課堂將於8月18日下午14:00准時开啓主題爲“碳化硅襯底材料與關鍵技術”的強芯沙龍 | 第三代半導體產業發展策略沙龍研討會。

本次直播邀請到：第三代半導體產業技術創新战略聯盟副祕書長趙璐冰博士，浙大杭州科創中心研究員韓學峰博士，中電科半導體材料有限公司SiC材料技術專家/山西爍科晶體有限公司總經理助理馬康夫博士，牛津儀器等離子技術部制程技術與業務拓展經理黃承揚博士，屆時將圍繞“碳化硅襯底材料與關鍵技術”主題，分享大尺寸碳化硅單晶生長、襯底材料技術、等離子拋光技術等熱點技術最新進展動態與趨勢。

碳化硅襯底材料的制備包括原料合成、晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、研磨拋光等環節，仍有諸多技術難點待突破，直播還將圍繞8英寸技術難點與產業化、國產化裝備、車規級器件應用需求等熱點話題展开互動探討。

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