日本半導體設備大廠 Canon 推出「奈米壓印」（NIL）技術的微影設備，可用於製造 5 奈米晶片，挑戰半導體設備龍頭  ASML。

根據彭博社報導，Canon 執行長御手洗富士夫（Fujio Mitarai）受訪時表示，Canon 最新 NIL 技術將幫助沒有大量資源的小型半導體廠獲得先進晶片製造技術，「機台價格將比 ASML 極紫外光（EUV）微影設備少一位數（one digit less），最終定價尚未決定。我不指望 NIL 技術會超越 EUV，但相信會創造新的機會和需求，目前已收到許多客戶的詢問」。

由於曝光設備昂貴，數值孔徑為 0.33的 EUV 系統造價超過 1.5 億美元，因此只有少數資金雄厚的公司才有能力投資這些工具，Canon 也暗示，NIL 設備成本將在約 1,500 萬美元，為小公司在先進製程打開新大門。

NIL 技術和 DUV、EUV 技術差在哪？

傳統 DUV 和極紫外 EUV 曝光系統使用特殊的光掩膜將電路圖案投射到抗蝕層晶片上；奈米壓印曝光技術使用的掩模（或模具）已將電路設計圖案化，然後直接印製在晶片抗蝕層上，這種方式不需透過光學系統來傳輸圖案，可更精確地將複雜電路設計從模具複製到晶片。

不過，曝光技術可一次加工整個晶片，NIL 是連續製程（serial process），速度可能較慢。此外，NIL 在壓印步驟中，模具與基底直接接觸，容易產生缺陷，進而影響製程的產量和可靠性。

值得注意的是，在美國施壓下，ASML 被禁止出口 EUV 設備給中國客戶，日本也同樣擴大出口限制，但沒有明確指出奈米壓印曝光技術。不過御手洗富士夫認為，公司設備同樣無法運往中國，「我的理解是，超過 14 奈米技術的任何產品都禁止出口，因此我們將無法銷售」。日本經濟部官員表示，無法就出口限制對特定公司或產品的影響發表評論。

近十年來，Canon 一直與大日本印刷株式會社和記憶體晶片廠鎧俠合作研究 NIL 製程。新設備除了讓晶片製造商降低對代工廠的依賴，也使台積電、三星等大廠有機會生產小批量晶片。Canon 表示，這種設備所需的功率僅 EUV 設備 1/10。

自今年初以來，Canon 股價上漲 27%，另一間競爭對手 Nikon 股價也上漲 24%。

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