導讀 近日，日本最大的半導體晶圓制造商信越化學工業和從事ATM及通信設備的OKI公司宣布，他們成功开發出了一種以低成本制造氮化鎵（GaN）功率半導體材料的技術。據悉，這項技術可以使制造成本降至傳統制法的十...
近日，日本最大的半導體晶圓制造商信越化學工業和從事ATM及通信設備的OKI公司宣布，他們成功开發出了一種以低成本制造氮化鎵（GaN）功率半導體材料的技術。據悉，這項技術可以使制造成本降至傳統制法的十分之一以下。如果能夠實現量產，將有利於普及快速充電器等設備。據了解，信越化學工業和OKI开發的新技術可以在特有的QST基板上噴鎵系氣體，使晶體生長。信越化學工業的增厚晶體技術與OKI的接合技術相結合，從基板上只揭下晶體。晶體放在其他基板上作爲功率半導體的晶圓使用。信越化學工業表示，GaN基板上使GaN晶體生長的制法不僅制造耗費時間，成品率還很差，成本高。新制法可以高效制造晶體，可以降低9成成本。與在矽基板上使GaN晶體生長的制法相比，不需要基板與晶體之間的絕緣層。加上晶體的厚膜化，可以通20倍大的電流。信越化學工業透露，這一技術可以制造6英寸晶圓，希望在2025年增大到8英寸，今後還考慮向半導體廠商銷售技術等業務模式。
標題：全球首套氮化鎵芯片成功落地 成本將降至傳統的兩倍以下
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