導讀 英國新型非易失性存儲器开發商QuInAs Technology近日宣布，已經購买了相關設備，計劃生產出20納米的UltraRAM原型。UltraRAM是一種“超高效存儲”技術，旨在將非易失閃存(NA...
英國新型非易失性存儲器开發商QuInAs Technology近日宣布，已經購买了相關設備，計劃生產出20納米的UltraRAM原型。UltraRAM是一種“超高效存儲”技術，旨在將非易失閃存(NAND)、易失性內存(RAM)結合在一起，以提高能效並提供極高的耐用性。 QuInAs Technology目前正在積極开發商業化 UltraRAM技術，並聲稱該技術最高可承受1000萬次重寫循環。 UltraRAM由英國蘭开斯特大學和華威大學的物理學家开發，爲了加強商業化進程，公司在去年冬季創建了QuInAs Technology公司。該技術於今年8月首次亮相在閃存峰會上。 存儲在UltraRAM單元中的電荷可以保持100年而不泄露，承諾能效比DRAM提高100倍，比3D NAND提高1000倍。UltraRAM的關鍵在於由砷化銦和銻化鋁(InAs/AlSb)制成的創新三層浮動閥，以便確保最大的能效和泄漏保護。與傳統的3D NAND存儲器相比，UltraRAM中的三層柵極幾乎不受外界影響。 在執行讀取操作時，UltraRAM也使用非破壞性方式完成，電子在共振時穿過三重勢壘進入單元，並在擦除過程中以相同的方式退出，使寫入過程非常節能，從而實現超長的重寫周期數。爲了進一步推進 UltraRAM的商業化進程，QuInAs Technology已經獲得了Innovate UK的 ICURe Exploit 基金的資助。
標題：最高可承受1000萬次重寫循環：英國科學家研發20納米級非易失性存儲器
地址：https://www.utechfun.com/post/269051.html