SK 海力士執行長郭魯正（Kwak Noh-Jung）在 SK AI 高峰會發表主題演講，公開業界首款 48G、16 層 HBM3E 開發成果，並提到明年（2025 年）初提供 48 GB、16 層 HBM 樣品，這也是業界容量最大、層數最多的產品。

郭魯正以「A New Journey in Next-Generation AI Memory: Beyond Hardware to Daily Life」（下一代 AI 記憶體新旅程：從硬體到日常生活）為題，表示過去記憶體存在於「個人」層面，資料是儲存在個人電腦或智慧手機中，現在則透過雲端服務和社群媒體管道，進階到「連結」層面。未來隨著 AI 進一步發展，記憶體將擴大到「創意」和「體驗」層面。

SK 海力士認為，構想「創意記憶體」（Creative Memory），如果沒有強大運算力的下一代記憶體支援，是無法實現的。也因此，SK 海力士在業界率先開發多款「世界第一」產品，並開始量產。

郭魯正預期 16 層 HBM 市場將從 HBM4 世代時開放，不過 SK 海力士為了確保技術穩定性，已開發出 48GB、16 層 HBM3E，計劃明年初提供樣品給客戶。

16 層 HBM3E 是運用先進的 MR-MUF 製程生產，SK 海力士也同時開發混合鍵合（hybrid bonding）技術做為後備技術。與 12 層產品相比，16 層產品的訓練效能提升 18%、推理效能提升 32%。

郭魯正指出，SK 海力士計劃與全球頂尖代工廠合作，從 HBM4 基礎晶片（base die）採邏輯製程，為客戶提供最佳產品。此外，透過客製化 HBM，將提供最佳化產品效能，反映客戶對容量、頻寬和功能的各種需求。

由於推動 AI 系統需要大幅增加伺服器記憶體容量，SK 海力士正準備 CXL Fabrics，透過連接各種記憶體實現高容量，同時開發超大容量的 eSSD，以低功耗在更小空間內儲存更多數據。

同時，SK 海力士也在開發記憶體時加入運算功能技術，克服「記憶體牆」（Memory Wall）問題。郭魯正認為，處理近記憶體（PNM）、記憶體處理（PIM）、運算儲存（Computational Storage）等技術是未來處理大量資料的必要技術，將改變下一代人工智慧系統結構的挑戰。

SK 海力士也針對 PC 和資料中心開發 LPCAMM2 模組、1 cnm 製程的 LPDDR5 和 LPDDR6，充分發揮低功耗和高效能產品的競爭優勢；同時準備推出 PCIe 第六代 SSD、高容量 QLC-based eSSD 及 UFS 5.0。

郭魯正強調，SK 海力士目標成為「全堆疊/全方位 AI 記憶體供應商」（Full Stack AI Memory Provider），即在 DRAM 和 NAND 領域擁有完整 AI 記憶體產品陣容的供應商，將推出針對 AI 時代系統的「Optimal Innovation」，及具業界頂尖競爭力的「Beyond Best」產品，引領 AI 時代來臨。

（首圖來源：SK 海力士）

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