日經亞洲的報導，全球最大半導體製造商 (TSMC) 年底前會收到 ASML 最先進微影曝光機。高數值孔徑極紫外 (High NA EUV) 微影曝光機每台售價超過 3.5 億美元，能使半導體製造商製造電晶體線寬更小的晶片。
台積電考慮用 High NA EUV 微影曝光機生產 A10 製程晶片，比 2025 年底 2 奈米領先約兩代，代表 2030 年後才能看到這種機器大規模量產。
台積電是全球最大半導體製造商，但並不是第一家取得 ASML 最新最先進設備的企業。英特爾最早採用，今年第一季俄勒岡州晶圓廠就接受第一套 High NA EUV，第二季接收第二套，證明 AI 晶片製造方面，英特爾努力重新取得優勢。消息人士還表示，另一對手三星 2025 年第一季將安裝第一套 High NA EUV 微影曝光機。
取得 ASML 最先進的為影曝光設備並不意味著代表企業就能順利的進入「埃米」領域。相反的，各大半導體製造企業投資大量經費開發先進封裝，以放入更多晶片，即便 High NA EUV 較 EUV 更精細成像，但晶片商仍須設計調整，甚至 High NA EUV 體積比 EUV 體積大得多，晶圓廠還得重新組織生產線，或從頭建造新廠以容納 ASML 最先進產品。
目前英特爾、三星和台積電是用 High NMA EUV 生產先進晶片的「唯三」企業。因市場小，且美國禁令和制裁阻止中國公司取得 ASML EUV 產品和服務，但失去中國市場，ASML 仍表示收到 10~20 台訂單。
ASML 壟斷先進 EUV 微影曝光市場，又是製造下代半導體必需設備，美國也開始投資研究 EUV，以使半導體供應鏈在美國重塑。雖計畫可能需數年甚至數十年，但為晶片商提供更多選擇，良性競爭促進半導體產業進步。
(首圖來源：imec)
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標題：台積電年底前獲首套 High-NA EUV，生產領先 2 奈米兩代製程
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