韓國科學技術學院（KAIST）教授 Keon Jae Lee 領導的研究團隊近日發表文章，名為「透過微真空力技術實現通用選擇性轉移印刷」的研究，並發表在《自然-通訊》（Nature Communications）雜誌上。
Micro LED 是用於下一代顯示器的光源，與傳統顯示器相比，具更優越的電跟光學特性、可靠性和穩定性，因此備受關注。若要實現商業化，必須採用轉移印刷技術，將生長基底上的 Micro LED 模具重新排列到最終基底上，按所需佈局精確對齊。
然而，以往轉印方法面臨許多挑戰，如需要額外粘合劑、對位不準、轉印成品率低和晶片損壞等。對此，Keon Jae Lee 教授開發出微真空輔助選擇性轉移印刷（μVAST）技術，透過調節微真空吸力轉移大量 Micro LED 晶片。
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這項關鍵技術需靠雷射誘導蝕刻（LIE）在玻璃基板上形成 20 μm 的高縱橫比微孔陣列，製造速度高達每秒 7,000 個孔。之後 LIE 打造的玻璃鑽孔將與真空通道連接，透過控制所需的孔陣列處的微真空力，選擇性地拾取和放置 Micro LED。
與過往轉印方法相比，微真空輔助轉印實現更高的附著力切換性，可將各種異質材料、尺寸、形狀和厚度的微型半導體組裝到任意基板上，實現高轉印良率。
Keon Jae Lee 教授表示，微真空輔助轉移為大規模、選擇性地整合微型高性能無機半導體提供有趣的工具。目前團隊研究用噴射器系統（ejector system）對商用 Micro LED 晶片進行印刷轉移，以實現大尺寸電視、柔性/可拉伸設備和可穿戴光療貼片等 Micro LED 產品的商業化。
（首圖來源：shutterstock）
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標題：KAIST 開發 Micro LED 選擇性轉移印刷技術，解決傳統轉印痛點美超微新解決方案支援第五代 Intel Xeon 處理器，平均效能較上代提升 36%
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