導讀 尼康計劃於2024年1月推出其最新款ArF 193納米浸沒式光刻機"NSR-S636E"，該產品將提升生產效率和套刻精度。這款曝光機採用了增強型iAS設計，具有高精度測量、圓翹曲和畸變校正功能，並且...
尼康計劃於2024年1月推出其最新款ArF 193納米浸沒式光刻機"NSR-S636E"，該產品將提升生產效率和套刻精度。這款曝光機採用了增強型iAS設計，具有高精度測量、圓翹曲和畸變校正功能，並且重疊精度（MMO）超過2.1納米。
這款新光刻機的分辨率爲小於38納米，鏡頭孔徑爲1.35，曝光面積爲26x33毫米。與當前型號相比，它的整體生產效率可提高10-15％，每小時可生產280片晶圓，停機時間更短。在保持較高生產效率的前提下，新光刻機還能提供更高性能，在先進邏輯和內存、CMOS圖像傳感器、3D閃存等3D半導體制造中表現出色。
據悉，新光刻機採用成熟技術——“i-line”光源，並結合相關零件和技術的成熟化，價格相對競品將便宜約20-30％。然而目前尚不清楚這款新型號能制造多少納米級別的芯片。
過去，日本尼康、佳能和荷蘭阿斯麥（ASML）曾是光刻機領域的三巨頭，但隨着科技發展及未跟上阿斯麥的193納米浸沒式光刻技術而逐漸沒落。爲了生存，尼康、佳能开始更加專注於難度較低、價格更低的成熟工藝光刻設備。
盡管如此，尼康和佳能並非一無是處。例如，佳能研發了無需使用EUV即可制造5納米芯片的納米壓印技術(NIL)。
標題：日本尼康宣布全新ArF浸沒式光刻機：精度小於2.1納米、價格便宜30％
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