韓國光子技術研究所（KOPTI）開發出高效能精細 Micro LED，無論晶片尺寸和注入電流密度如何，其內部量子效率（IQE）均維持在 90%。
據報導，在 20μm 以下超細微尺寸的 Micro LED，不僅發光效率迅速下降，在驅動顯示面板所需的低電流範圍（0.01A/cm2~1A/cm2）內，非發光複合損耗也顯著增加。
目前業界透過導入鈍化製程到晶片側面來解決這問題，但無法從根本上解決。也因此，KOPTI 的技術特點是解決 Micro LED 因晶片尺寸縮小及注入電流增加而出現發光效率迅速下降的問題。
報導稱，KOPTI 開發的超精細 Micro LED 結構已被證實不僅在藍色方面有效，在綠色和紅色氮化物發光裝置中也有效，有望生產由全彩組成的 Micro LED 氮化物半導體。
這種新型 Micro LED 命名為「ZOGAN LED」，由 p-ZnO 和 p-GaN 製成。研究人員表示，非輻射洩漏電流幾乎可以忽略不計，且不會隨晶片尺寸減小而增加，甚至低於 10 um。
KOPTI 指出，研究團隊透過新結構減輕外延層中的應力，提高發光效率，並抑制 Micro LED在任何外部電場或結構下的物理應力變化。即使 Micro LED 尺寸減小，新結構可依舊顯著降低表面非發光複合損耗，並維持高發光效率，且無需採用鈍化製程。
研究人員製作尺寸為 5、10 和 20 um 的藍色 ZOGAN LED，並證實了所有這些器件的高性能；團隊也為新結構申請專利，尋求將該技術商業化。
（首圖來源：shutterstock）
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