前段時間，大家都被一則消息刷屏了，那就是國產光刻機有了進步，國家權威機構公布了一台氟化氬光刻機，光源是193nm，分辨率≤65nm，套刻精度≤8nm。

特別是其中標注的套刻精度≤8nm，引發了衆多人的猜測，有人說是可以支持到8nm，有人說是可以支持到28nm，也有人說實際上是65nm，這些說法，誰也不服誰。

當然，具體能支持多少納米，誰也不清楚，也不會告訴大家的，你認爲是幾納米就幾納米吧，不會有絕對的權威的答案的。

不過，可以確定的是，這還是一台幹式DUV光刻機，採用的是193nm波長的光源，並沒有跨進浸潤式DUV光刻機的行列，這個是最核心的地方。

當然，看這台光刻機成色如何，最好的辦法，還是和行業標杆ASML去對比一下，大致就會明白這是什么水平了。

從光源、分辨率、套刻精度這三個指標，基本上可以確定，它與ASML旗下的TWINSCAN XT：1460K應該是最爲接近，1460K光刻機，其照明波長爲193mm，分辨率≤65nm，不過在套刻精度上，1460K是≤5nm，實際上ASML的這一台相對還更先進一些。

按照ASML在官網上的說法，這台光刻機，最高能制造57nm工藝的芯片，當然這個工藝是沒有採用多重曝光之下的，是直接光刻精度。

可見如果拿這台國產的氟化氬光刻機來對比，應該最多也就是TWINSCAN XT：1460K的水平，這個大家應該沒有疑問吧。

至於最高能生產多少納米的芯片，我覺得大家應該心裏有數了，在直接光刻的普通情況下，大致也就是和ASML的差不多吧，也就是57nm左右。當然經過多重曝光後，可能會好一點，但推測應該是達不到28nn的。

而TWINSCAN XT：1460K是ASML於2015年推出的，我們的國產光刻機，達到了2015年ASML的水平，是不是意味着我們落後ASML只有10年？

2015年的產品

其實，不能這么直接來看，事實上在2003年時，ASML就推出了第一台浸沒式光刻機TWINSCAN XT:1250i，這台機器就可以直接制造32-28nm的芯片了。

然後ASML大約以2年一代的速度對浸潤式DUV光刻機進行迭代，不斷的提高套刻精度，提高NA，以及提高工作台的精度等，最終讓浸潤式DUV光刻機，支持到了14nm、7nm……

所以，從這一點來看的話，其實我們落後ASML起碼20年，因爲20年前的ASML，已經有了浸潤式光刻機，對方一邊在生產浸潤式，也一邊在生產幹式光刻機，而我們呢，還在幹式光刻機上努力，浸潤式還沒有實現。

所以說，大家先別這么高興，這台光刻機雖然也是一個進步，但實際上路還很漫長，我們的提升空間還非常大，還遠不到興奮的時候，加油吧。

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標題：實話實說，國產光刻機雖有進步，但落後ASML還有20年左右

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