根據消息來源和文件顯示，兩間中國晶片製造商正處於生產高頻寬記憶體（HBM）半導體的早期階段，這主要用於 AI 晶片組。雖然在美國出口限令下，中國目前只在舊版 HBM 獲得進展，但也逐步擺脫對外國供應商的依賴。

三位知情人士透露，中國最大 DRAM 晶片製造商長鑫存儲與晶片封測公司通富微電合作開發 HBM 晶片樣品，正向客戶展示。通富微電今（15 日）股價也大漲 8%。另一方面，武漢新芯正建設一間月產能 3,000 片的 12 吋 HBM 晶圓廠，企查查文件顯示，該工廠預計今年 2 月開工。

另兩位消息人士指出，長鑫存儲和其他中國晶片公司還定期與韓國和日本的半導體設備公司舉行會議，以購買開發 HBM 工具。目前長鑫存儲、通富微電和武漢新芯都沒有對此進行回應。

長鑫存儲和武漢新芯都是私人公司，在中國大力發展晶片產業過程中，它們獲得地方政府的資金以推動技術發展。有消息指出，受到美國制裁的中國科技巨頭華為，其目標是到 2026 年與其他國內公司合作生產 HBM2 晶片。

外媒 The Information 先前曾報導稱，由華為為首的一個旨在生產 HBM 公司的集團包括福建晉華積體電路。此外，華為的昇騰（Ascend）AI 晶片需求暴增，目前不清楚華為在哪裡採購 HBM，而福建晉華沒對此回應。

根據市場消息，中國目前工作重點是 HBM2，美國沒限制 HBM 晶片出口，但 HBM3 晶片是採用美國技術製造，而包括華為在內的許多中國公司都禁止使用美國技術。

橡樹資本（White Oak Capital）投資總監 Nori Chiou 預期，中國晶片製造商在 HBM 落後於全球競爭對手十年，「中國面臨相當長一段路要走，該國目前缺乏競爭優勢，即使在傳統記憶體市場領域也無法與韓國同業匹敵。儘管如此，長鑫存儲與通富微電的合作，為中國 HBM 市場提升提供一個重要機會」。

根據資料庫顯示，長鑫存儲已在美國、中國和台灣申請近 130 項專利，涉及與 HBM 晶片製造和功能相關的不同技術問題。其中，14 項於 2022 年公佈，46 項於 2023 年公佈，69 項於 2024 年公佈。另份文件顯示，長鑫存儲還在投資開發 HBM3 所需的技術。

（首圖來源：shutterstock）

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