氮化鎵（GaN）是一種新興的電力轉換技術，有潛力在未來替代硅基半導體，實現能源效率和成本的優化。但是，這一技術的發展也遭遇了專利爭議。近日，美國氮化鎵技術企業宜普公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC）向美國聯邦法院和美國國際貿易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）發起訴訟，聲稱中國英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統稱“英諾賽科”）侵犯了其四項氮化鎵技術專利。
宜普公司是氮化鎵技術的先驅之一，於 2010 年开始生產第一批商業化的氮化鎵晶體管和集成電路。該公司擁有 57 項美國專利和 172 項全球專利，覆蓋了氮化鎵功率半導體器件的設計與制造工藝的關鍵環節。
英諾賽科是中國一家專注於氮化鎵技術研究和應用的公司，成立於 2016 年，總部位於廣東珠海。該公司擁有自主研發的氮化鎵芯片制造工藝和封裝技術，並提供多種規格的氮化鎵產品套件，應用於快速充電、無线充電、數據中心、汽車電子等領域。
宜普公司在起訴狀中詳細說明了英諾賽科公司招聘兩名宜普公司員工並任命爲其首席技術官和銷售及市場主管的相關情況。宜普公司指控兩人加入英諾賽科後不久，英諾賽科便推出了一套與宜普公司明顯相同的產品，英諾賽科還自稱其產品在關鍵性能指標上的表現與宜普公司產品幾乎相同。
據了解，宜普公司向聯邦法院和美國國際貿易委員會起訴英諾賽科公司專利侵權、尋求損害賠償，並希望能夠禁止英諾賽科公司將其構成侵權的氮化鎵產品套件進口至美國。
本次專利糾紛反映了氮化鎵技術在全球範圍內受到越來越多關注和競爭的現狀。氮化鎵技術有望將全球能源效率提高 15-20%，這將有助於降低能源成本、減少有害排放，並支持美國和中國等國家的能源安全和可持續發展目標。專家預測，在未來兩到三年內，氮化鎵市場將達到數十億美元的規模，並在未來十年內達到約數百億美元的峰值。
作爲世界上最大的電力轉換市場之一，中國對於氮化鎵技術具有巨大的需求和潛力。中國企業在氮化鎵技術方面也展示了不少成果和突破，體現了強大的創新能力和市場競爭力。然而，在追求技術發展和商業利益的同時，中國企業也面臨着知識產權、行業規範、市場秩序、行業發展等方面的挑战和機遇。
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標題：中美在氮化鎵領域爆發專利糾紛：美國宜普起訴中國英諾賽科侵權
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