Rapidus 北海道廠分四階段安裝 EUV 曝光機,拚 2027 年量產NVIDIA、台積電聯手展示矽光子技術,三星積極切入盼搭上商機避免美日材料大廠卡脖子,中國推動國產光阻供應鏈

2024-12-19 10:33:00    編輯: 林 妤柔
導讀 日本半導體新創 Rapidus 成為日本首間獲得極紫外線(EUV)曝光設備的公司,目前已開始在北海道千歲市在建晶圓廠安裝設備。該公司執行長小池淳義(Atsuyoshi Koike)18 日在新千歲機...

日本半導體新創 Rapidus 成為日本首間獲得極紫外線(EUV)曝光設備的公司,目前已開始在北海道千歲市在建晶圓廠安裝設備。該公司執行長小池淳義(Atsuyoshi Koike)18 日在新千歲機場舉行的典禮上表示,將從北海道和日本向全球提供最先進半導體。

日經報導稱,ASML 製造的第一批 EUV 曝光系統已於 14 日運抵機場,本月底將在晶圓廠完成安裝。由於該系統體積龐大,將分四階段安裝,一個完整設備重達 71 噸,如同一頭鯨魚,高度為 3.4 公尺。

ASML 是全球唯一 EUV 設備供應商,每個設備成本約 1.8 億美元以上,視機型而定。目前只有少數晶片製造商採用,包括、三星電子和英特爾,去年全球僅交貨 42 台。

據悉,小池淳義於 11 月陪同 ASML 監事會成員 Martin van den Brink 參觀無塵室及工廠其他區域。Van den Brink 作為 ASML 前技術長,在 EUV 技術的開發中發揮領導作用,並批准相關安裝工程進行。

Rapidus 正與 IBM 合作,計劃 2025 年春季完成 2 奈米製程晶片原型開發,並在 2027 年實現量產。相比之下,晶圓代工龍頭台積電則計劃 2025 年開始量產 2 奈米晶片。

日本半導體業曾在 1980 年代佔據全球超過 50% 的市佔率,但到 2000 年代已退出更小尺寸邏輯晶片的競爭,目前沒有一家日本晶片製造商能生產 40 奈米以下的先進晶片。Rapidus 在日本政府支持下成立,旨在重振日本先進晶片的生產能力,降低對進口的依賴。日本政府目標到 2030 年實現國內半導體銷售額達 15 兆日圓,為 2020 年的三倍。

日本承包商鹿島建設(Kajima)正興建專門用於安裝 Rapidus EUV 系統的大樓,無塵室則由高砂熱學工業(Takasago Thermal Engineering)負責。為了累積專業知識,Rapidus 已派遣約 150 名工程師前往 IBM 學習生產線管理技術。

根據日本政府資料,全球先進半導體市場預計到 2030 年將增至 53 兆日圓,相較 2020 年成長近八倍。

(首圖來源:)

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