導讀 多數晶體內原子、分子排列並非完美無暇，也因此會形成晶體缺陷，而科學家最近發現層狀二維材料存在的「單原子缺陷」，竟無需其他特殊條件就可在室溫下保留幾微秒量子訊息，凸顯出二維材料推進多種量子技術的潛力。...
多數晶體內原子、分子排列並非完美無暇，也因此會形成晶體缺陷，而科學家最近發現層狀二維材料存在的「單原子缺陷」，竟無需其他特殊條件就可在室溫下保留幾微秒量子訊息，凸顯出二維材料推進多種量子技術的潛力。
將量子資料儲存在電子自旋特性上需要非常特殊且精密的設計，不仔細控制環境就無法成功。
最近，曼徹斯特大學與劍橋大學研究人員使用名為六方氮化硼（Hexagonal Boron Nitride，h-BN）的材料，發現其原子缺陷能在環境條件下保留量子資訊特性，且這些電子自旋相幹還能用光控制。
六方氮化硼是一種超薄二維材料，由相互堆疊的單原子層組成，這些層透過分子之間的力結合在一起，但有時層與層之間存在微小缺陷（稱為原子缺陷），這些缺陷會吸收、發射可見光子，也能充當困住電子的局部陷阱。
研究人員便利用這些缺陷研究被捕捉的電子行為、調查其自旋特性，驚訝發現當將某種量子態寫到這些電子自旋上，量子資訊能儲存約百萬分之一秒，看起來很短暫，但有趣的是這系統不需特殊條件──甚至不用強力磁鐵，就可在室溫下利用光線控制、操縱缺陷內的電子自旋、儲存自旋量子態。
這項發現為未來多種量子技術應用、尤其是量子感測器打開新道路。在真正得以實際應用前，研究人員還有許多事情要解決，比如調查六方氮化硼系統的原子缺陷如何變得更牢靠。
發表在《自然材料》（Nature Materials）期刊。
（首圖來源：）
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標題：不需特殊條件，二維層狀材料「六方氮化硼」能在室溫下保存量子資訊
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