TrendForce 研究，三大原廠開始提高先進製程投片，繼記憶體合約價翻揚後，公司資金增加，產能提升集中在下半年，1 alpha 奈米以上投片至年底將佔 DRAM 總投片比重約 40%。HBM 獲利表現佳，加上需求持續看增，故生產順序最優先。但受限良率僅約 50%~60%，且晶圓面積較 DRAM 產品放大逾 60%，即佔投片比重高。以各家 TSV 產能看，至年底 HBM 將佔先進製程 35%，其餘生產 LPDDR5（X）與 DDR5 產品。

以HBM最新發展進度看，TrendForce表示，今年HBM3e是市場主流，集中下半年出貨。SK海力士（SK Hynix）仍是主要供應商，與美光（Micron）均採1 beta奈米製程，兩家業者已出貨輝達（NVIDIA）；三星（Samsung）則採1 alpha奈米製程，第二季完成驗證，年中交貨。

DDR5、LPDDR5（X）滲透率增加，消耗更多先進製程產能

除了HBM需求佔比持續增加，PC、伺服器、智慧手機三大應用單機搭載容量增長，故先進製程消耗量也逐季提升，又以伺服器的容量提升最高，主要受惠單機容量1.75TB的AI伺服器帶動。英特爾、AMD新平台Sapphire Rapids、Genoa量產後，記憶體規格僅能用DDR5，今年DDR5滲透率至年底逾50%。

同時HBM3e出貨集中下半年，同屬記憶體需求旺季，DDR5與LPDDR5（X）市場需求也看增。但受2023年虧損壓力影響，原廠產能擴張計劃也較謹慎。整體而言，HBM投片比重擴大下，使先進製程產出有限，下半年產能配置是供給是否充足的關鍵。

受HBM排擠，若先進製程擴產不足，DRAM產品恐供不應求

新廠規畫方面，三星廠房2024年底產能大致滿載，新廠房P4L規劃2025年完工， Line 15廠區製程轉換，1 Y奈米轉至1 beta奈米以上。SK海力士除了M16明年產能擴大，M15X亦規劃2025年完工，年底量產。美光台灣廠區明年恢復滿載，後續產能擴張以美國廠為主，Boise廠區2025年完工並陸續移機，2026年量產。

TrendForce表示，儘管三大廠新廠2025年陸續完工，但部分廠房量產時程尚未明確規劃， 需看今年獲利，才能持續擴大採購機台，形成三大廠堅守記憶體價格今年漲勢。NVIDIA GB200於2025年放量，規格為HBM3e 192 / 384GB，HBM產出將近翻倍，且緊接各原廠研發HBM4，若投資沒有明顯擴大，各家產能規劃皆以HBM為優先，產能排擠效應下，DRAM產品恐有供應不及的可能性。

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