ASML 宣布首款採用 0.55 數值孔徑（High-NA）EUV 曝光設備已列印出第一個圖案。根據最新貼文，ASML 的 High-NA EUV 系統已成功列印出第一條 10 奈米密集線（dense lines）。

ASML 指出，下一步是使系統充分發揮全部性能，並在現場取得相同結果。

Our High NA EUV system in Veldhoven printed the first-ever 10 nanometer dense lines. ✨ Imaging was done after optics, sensors and stages completed coarse calibration.

Next up: bringing the system to full performance. And achieving the same results in the field. ⚙️

— ASML (@ASMLcompany)

ASML 是第一間宣布使用 High-NA EUV 系統並成功圖案化的公司，對半導體產業是個重要裏程碑。根據該公司貼文和照片，High-NA EUV 系統已成功列印出第一條 10 奈米密集線（dense lines），而該公司 ASML 官網提到，該設備的理論極限是 8 奈米。

目前全球有兩套 High-NA EUV 設備，一套在 ASML 荷蘭總部 Veldhoven 製造，該公司與 Imec 有個 High-NA 聯合實驗室；另一套在英特爾美國奧勒岡州 D1X 晶圓廠組裝。ASML 表示，其最新曝光設備已運送給第二間客戶，外界預期可能是台積電。

英特爾預期透過最新 High-NA EUV 設備來量產晶片，不過執行長 Pat Gelsinger 最近先前提到不會用於 Intel 18A 製程，而是留到下一個主要節點，因此推測很可能是 Intel 14A。

High-NA  EUV技術採用 0.55 NA的鏡頭，實現 8 奈米級別的分辨率，而標準的 EUV 技術使用 0.33 NA 的鏡頭。與 Low-NA 工具相比，該技術可印刷的電晶體尺寸縮小 1.7 倍，單次曝光的電晶體密度提高 2.9 倍。也因此，實現 8 奈米級別的製程對於 3 奈米以下製程技術相當重要，預期這種晶片將於 2025-2026 年問世。

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