Ga2O3 元件十年內將取代 SiC 應用? 當 Si 植入 β-Ga2O3 ,實現高功率元件的關鍵指標

2024-02-29 09:00:00    編輯: TechNews
導讀 目前半導體業主要使用 Si 製作各式元件,隨著製程技術進步與元件結構改進,以 Si 所製作之相關元件已達到的材料特性之限制,無論是通訊 5G 與 6G、綠能產業、電動車的需求,勢必要使用其他半導體材...


目前半導體業主要使用 Si 製作各式元件,隨著製程技術進步與元件結構改進,以 Si 所製作之相關元件已達到的材料特性之限制,無論是通訊 5G 與 6G、綠能產業、電動車的需求,勢必要使用其他半導體材料以滿足高速、高功率的元件特性。

▲ 本文出自國立陽明交通大學電子研究所洪瑞華教授及蔡欣穎同學、Aproova Sood 等團隊成員,於閎康科技「科技新航道 | 合作專欄」介紹「離子佈植研製成長於藍寶石基板之N型 β-Ga2O3 磊晶膜及其元件特性之研究」文稿,經科技新報修編。

近幾年,電動車與再生能源的快速發展,帶動了功率元件的需求與性能要求不斷提升。而矽(Si)的能隙僅為 1.12 eV,無法承受高電壓。因此在高電壓、大功率的功率元件領域,第三代寬能隙半導體碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)逐漸得到應用。這些材料可大幅提升功率元件的電壓和功率,進而改善電動車和再生能源應用中的轉換效率。

Ga2O3:功率元件的未來發展

一般在功率元件方面常使用 Baliga’s Figure-Of-Merits(BFOM)來評斷半導體材料的特性,BFOM 正比於  εμEc3,隨著材料的 E增加,材料的臨界電場(Critical electric field, Ec)亦增加,BFOM 則隨之大幅增加,而 BFOM 越大代表材料在功率元件應用的潛力越高。如表(一)所示,SiC 與 GaN 的 E分別為 3.3 與 3.4 eV,因此在 BFOM 相較於 Si 之 BFOM 分別是 340與 870。然而,SiC 與 GaN 的原生基板成長條件嚴峻、價格昂貴,使得製作出的功率元件售價相比之下,價格比 Si 金氧半場效電晶體(MOSFET)、Si IGBT 昂貴許多。

另一方面,第四代寬能隙氧化物半導體 Ga2O3 的成長條件不需要高溫高壓,成本較低,而且Ga2O3 的 E高達 4.8 eV,其 BFOM 分別為 SiC 與 GaN 之 4 倍與 10 倍。若能成功製造 Ga2O3 元件,其崩潰電壓將會大幅提升。

此外,Ga2O3 元件的導通電阻理論上低於 Si、GaAs、SiC 和 GaN,可降低元件使用時的功率消耗,進而提升轉換效率。因此,Ga2O3 被視為有機會取代 SiC 與 GaN,成為下世代高功率元件的半導體材料。甚至有人認為,Ga2O 在十年內有機會取代 SiC 的應用。

▲ 圖一 半導體材料特性比較圖

Ga2O總共有五種晶相(Polymorphs):monoclinic(β-Ga2O3)、rhombohedral(α- Ga2O3)、defective spinel(γ- Ga2O3)、cubic(δ- Ga2O3)、 orthorhombic(ε- Ga2O3),其中以 β-Ga2O3­ 的穩定性最高,其餘四種晶相在高溫下皆會相變化成 β-Ga2O。β-Ga2O的化學穩定性、熱穩定性高,非常適合做為功率元件。

▲ 圖二 各種 Ga2O晶相轉換之關係圖[1]

β-Ga2O 功率元件的特性

儘管 β-Ga2O3 有以上諸多優點,而製作成元件必須有可控制導電性之薄膜方能應用,由於 β- Ga2O的能隙高達 4.8 eV,其本質載子濃度(Intrinsic carrier concentration)僅有1.79 × 10-23 cm-3 [2],,也因此無摻雜 β-Ga2O3 的阻值非常高,如同絕緣體一樣,不適合用於製作半導體元件。

由於材料的特性,目前製備 P-type β-Ga2O3 非常困難,相較之下 N-type β-Ga2O3 尚有機會可以達成,根據理論計算 Si、Ge 與 Sn 等雜質在 Ga2O3 中的 donor level 非常接近導帶(Conduction band),其活化能(Activation energy)分別為 30、30、60 meV,為 shallow donor levels [3]。由實驗證明這些雜質之摻雜物的活化率高。先前已有多組研究團隊利用分子束磊晶(Molecular beam epitaxy, MBE)在 β- Ga2O3 基板上成長 β-Ga2O3,並以Si[3]、Ge[4]、Sn[5]摻雜,皆可有效提升 β-Ga2O3 的電子濃度,降低 β-Ga2O3 的片電阻值,因此可以用於製作功率元件。

MBE 設備需要超高真空,且沉積速率慢、成本高,不適合用於大量生產,僅適合做為材料早期的研究與驗證。金屬有機化學氣相沉積(Metal-organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)的產量高、成本較低、結晶品質佳,適合用於大量生產 β-Ga2O3 。Zixuan Feng 與其團隊利用 MOCVD 機台中通入三乙基鎵(Triethylgallium, TEGa)與 O2,並使用矽甲烷(Silane, SiH4)做為前驅物(Precursor)製備 in-situ Si doped β-Ga2O3  薄膜[6],且可改變腔體壓力來控制 Si 的摻雜濃度,經由霍爾量測(Hall measurement),其載子濃度可達 1016 cm-3以上,並且在室溫下的載子遷移率(Mobility)184 cm2/V⸱s。

本研究團隊已成功在 β-Ga2O3 基板上磊晶 β-Ga2O3  薄膜,然目前 β-Ga2O3  基板尚未普及,屬於高單價之材料;相較之下,與 β-Ga2O3  晶格常數極為接近之 c-plane Sapphire 基板,基板價格極為親民,更具市場競爭力。本實驗室已可在 c-plane Sapphire 基板上以 MOCVD 磊晶成長高品質的未摻雜(UID)(-2 0 1)β-Ga2O3,經由 XRD 量測,其(-2 0 1)之半高寬(Full width at half maximum, FWHM)可低至 400 arcsec,代表 β-Ga2O3  具有高度的結晶性。

▲ 圖三(a)β-Ga2O3 on Sapphire之晶圓圖(b)XRD 圖

Si 離子佈植技術(Implantation

上述我們介紹了 β-Ga2O3 功率元件的特性,為了降低阻值提升 UID β-Ga2O的導電性,我們使用Si離子佈植技術(Implantation),將 Si 植入 β-Ga2O薄膜中,並使用高溫快速熱退火(Rapid Thermal Annealing, RTA)修補受到 Si 離子撞擊所產生的缺陷與活化 Si dopant。藉由改變 Si Implantation 的植入劑量與植入之能量改變 Si 的濃度分佈,並搭配黃光製程在特定區域進行摻雜,相較於磊晶時加入摻雜,離子佈植改變磊晶膜之電性在元件製作方面具有較大的彈性。

蕭特基二極體(Schottky barrier diode, SBD

蕭特基二極體(Schottky barrier diode, SBD)為一種常見的功率元件,SBD 是利用金屬與半導體間 Schottky junction 達到整流的特性,SBD 具有低導通電壓、高導通電流、高切換速度等特性。在研究上,SBD 可利用 I-V、C-V 等方式萃取出半導體的載子濃度,亦可利用變溫及大電壓量測來判斷半導體的崩潰電場、材料穩定度與品質。因此,本文將以摻雜之 SBD 評估異質磊晶成長於 Sapphire 之 Ga2O製作成高功率 SBD 之可行性。

Si Implantation 劑量對 β-Ga2O缺陷的影響

我們使用 3 種 Si Implantation 劑量植入 β-Ga2O3­ 磊晶薄膜,分別是1×1014、6×1014、1×1015 cm-2,再經由高溫 RTA 處理,活化 Si dopant。由於 Si Implantation 需要以高能量 Si 離子撞擊 β-Ga2O表面來植入磊晶薄膜中,容易在試片表面產生缺陷,因此我們對這三種經過 Si Implantation 試片與 UID β-Ga2O進行原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope, AFM)量測,結果如圖四所示。相較於 UID β-Ga2O3,經過 Si Implantation 後 Si 填補 Ga 空缺,使得缺陷減少,造成 Si Implantation β-Ga2O3 ­­的方均根(Root Mean Square, RMS)粗糙度下降。隨著 Implantation 劑量的增加,Si 原子形成複合物(Complexes),這些複合物缺陷聚積,使得表面粗糙度增加。

▲圖四(a)UID β-Ga2O3 SBD 之 AFM 圖;Si implantation 劑量為(b)1×1014 cm-2(c)6×1014 cm-2(d)1×1015 cm-2之 AFM 圖

Si 摻雜 β-Ga2OSBD 的製作

為了更進一步的研究,我們將 3 種劑量(1×1014、6×1014、1×1015 cm-2)的 Si Implantation β-Ga2O3 製作成 SBD,並與 UID β-Ga2O3 SBD 進行比較。 SBD 之研製,陽極(Anode)電極使用 Ni/Au 做為 Schottky contact,陰極(Cathode)電極使用 Ti/Au/Ti/Al 做為 Ohmic contact,β-Ga2O3 SBD 元件之剖面結構圖與電極圖形以掃描式電子顯微鏡(SEM)觀測之影像如圖五所示。

▲圖五 β-Ga2O3 SBD 之剖面與上視 SEM 圖

Si 摻雜對 β-Ga2O3  SBD 性能的影響

β-Ga2O3 SBD 製作完畢後,利用 Keysight B1505A 功率元件分析儀進行 I-V 量測分析,結果如圖六所示[8],經由 Si Implantation 後,SBD 的開態電流可以提升 108 倍,並隨著 Si Implantation 劑量增加,電流大幅增加,代表 Si 取代 Ga 提供電子,增加載子濃度,有效降低 β-Ga2O3 的阻值與提升元件的性能。對 J-V 圖微分以計算 Ron,sp,結果如圖七所示,經由 Si Implantation 的 SBD,Ron,sp 幅下降。使用式 1 對 J-V 圖進行擬合分析(Fitting)以計算出SBD 理想因子(Ideality Factor, η),η 值越接近 1 代表元件特性越接近理想公式, UID β-Ga2O3 SBD 的 η 為 8.05,經過 Si Implantation 的 SBD 有效降低串聯電阻,因此 η 值大幅下降,而隨著 Implantation 劑量增加,η 從 1.37 上升至 2.08,則是因為摻雜濃度(ND)增加,而發生穿隧效應,使得 η 值上升。

▲ 圖六(a)UID β-Ga2O3 SBD 之 I-V 圖;Si implantation 劑量為(b)1×1014 cm-2(c)6×1014 cm-2(d)1×1015 cm-2之 I-V 圖
▲ 圖七 UID 與 Si Implantation β-Ga2O3 SBD 之特性表

Si 摻雜調控 β-Ga2OSBD 載子濃度與導電性

β-Ga2O3 SBD C-V 量測結果如圖八所示,使用半導體元件物理公式(式 2 ~ 7)進行分析,計算出 3 種劑量(1×1014、6×1014、1×1015cm-2)Si Implantation β-Ga2O3 的載子濃度分別是1.08×1017、4.31×1018、1.07×1019 cm-3,代表 Si Implantation 技術可以大幅調控 β-Ga2O3 的載子濃度與導電性,而 UID β-Ga2O3 SBD 則因阻值過高,超過機台解析極限。將式 3~ 7 的計算結果帶入式 2 即可計算出等蕭基能位障高(Effective Schottky Barrier Height, ϕBn),3 種劑量(1×1014、6×1014、1×1015cm-2)Si Implantation β-Ga2O3 的 ϕBn 分別是 0.82、0.54、0.32 V,隨著 Implantation 劑量增加,Metal Induced Gap States(MIGS)造成 fermi level pinning 更加嚴重,使得 ϕBn 下降,導致反向漏電流增加。

▲ 圖八(a)UID β-Ga2O3 SBD 之 C-V 圖;Si implantation 劑量為(b)1×1014 cm-2(c)6×1014 cm-2(d)1×1015 cm-2之 C-V 圖

Si 摻雜對 β-Ga2O3 崩潰電壓與溫度特性的影響

β-Ga2O3 SBD 作為高壓、高功率元件,需要承受高逆偏電壓。本團隊對這四種元件進行大電壓的 Breakdown 量測,UID β-Ga2O3 SBD 的崩潰電壓(Breakdown voltage, VBD)高達1030 V,而隨著 Si Implantation 劑量增加,VBD降低,代表在大劑量 Implantation 後產生大量缺陷,因此在 Implantation 後需要進一步的處理與分析,以減少缺陷密度,降低 SBD 的逆偏漏電流,提升 VBD

功率元件在大電流下操作產生大量的熱,使得元件溫度上升,改變元件特性,因此本團隊對 Si Implantation β-Ga2O3 SBD 元件進行變溫 I-V 量測,結果如圖九所示,隨著元件溫度增加,順偏電流(Forward current)上升;開態電阻(On-resistance)下降,這是由於溫度升高時熱晶格振動效應引起的電子激發和躍遷,使得電流增加。[7]

▲ 圖九 Si implantation 劑量為(a) 1×1014 cm-2 (b) 6×1014 cm-2 (c) 1×1015 cm-2 β-Ga2O3 SBD 之變溫 I-V 

Si Implantation β-Ga2O的材料特性與 SBD 的元件特性

β-Ga2O3 具有超寬能隙 4.8 eV,其 Baliga Figure of Merit(BFOM)值為 Si 的 3444 倍,非常適合用於功率元件。然而,未摻雜 β-Ga2O3 的阻值非常高,無法用於半導體元件的製作,因此需要適度的摻雜,以提升載子濃度,降低阻值。N 型 β-Ga2O3 常使用 Si、Ge、Sn 做為 donor,提升電子濃度。

國立陽明交通大學電子研究所洪瑞華教授及蔡欣穎同學、Aproova Sood 等團隊利用 MOCVD 製備了高品質、高結晶性 UID β-Ga2O3,並可利用 Si Implantation 大幅調控 Si 的摻雜濃度,有利於功率元件的製作。團隊也成功利用 Si Implantation β-Ga2O3 製作 SBD,並且利用多種量測技術探討用 Si Implantation β-Ga2O3 的材料特性與 SBD 的元件特性。

本論文部分內容與數據已刊登在“Electrical performance study of Schottky barrier diodes using ion implanted β-Ga2O3 epilayers grown on sapphire substrates”, Materials Today Advanced, 17, 100346, 2023。

(首圖來源:Shutterstock;資料來源:閎康科技)

參考文獻
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[8] Apoorva Sood, Dong-Sing Wuu, Fu-Gow Tarntair, Ngo Thien Sao, Tian-Li Wu, Niall Tumilty, Hao-Chung Kuo, Singh Jitendra Pratap, Ray-Hua Horng,(2023)“Electrical performance study of Schottky barrier diodes using ion implanted β-Ga2O3 epilayers grown on sapphire substrates”, Materials Today Advanced, 17, 100346.


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