尼康宣布推出全新ArF浸沒式光刻機NSR-S636E,生產效率提升15%

2023-12-10 18:11:12    編輯: robot
導讀 12月9日消息,根據日本光刻機大廠尼康(Nikon)官方消息,其將於2024年1月正式發布ArF浸沒式光刻機NSR-S636E。尼康稱,作爲半導體生產過程中關鍵層的曝光系統,NSR-S636E具有尼...

12月9日消息,根據日本光刻機大廠尼康(Nikon)官方消息,其將於2024年1月正式發布ArF浸沒式光刻機NSR-S636E。尼康稱,作爲半導體生產過程中關鍵層的曝光系統,NSR-S636E具有尼康歷史上更高的生產效率,並具有高水准的套刻精度和生產速度,可爲尖端半導體器件中的 3D 等器件結構多樣化的挑战提供解決方案。

尼康在新聞稿中表示,隨着數字化轉型的加速,能夠更快的處理和傳輸大量數據的高性能半導體變得越來越重要。而生產先進半導體的技術創新關鍵在於推動電路圖案微縮和3D半導體結構,而ArF浸沒式曝光機對於這兩種制成技術都至關重要。因爲與傳統半導體相較,3D半導體制造過程中更容易發生晶圓翹曲和變形,因此需要比以往更先進的曝光機進行校正和補償功能。

尼康稱,NSR-S636E ArF浸沒式曝光機採用增強型iAS,該創新系統可利用在高精度測量和廣泛的晶圓翹曲和畸變校正功能上,達成了高重疊精度(MMO≤2.1 nm)。曝光面積爲26毫米×33毫米,生產速度則是增加到每小時280片,加上減少停機時間,使得其與當前型號相比,整體生產率提高了10~15%,已達到尼康光刻設備中最高的生產效率。

此外,尼康還表示,該光刻系統在不犧牲生產效率的情況下,在需要高重疊精度的半導體制造技術中具有優異的性能,例如3D半導體。該公司表示,將針對先進邏輯和內存、以及CMOS圖象感測器和3D NAND等3D半導體的多樣化需求,已經提出最佳解決方案。

在1990年代之前,尼康和佳能曾在光刻機市場上拿下主導地位。但隨着尼康和佳能在技術路线選擇上的錯誤,而ASML在193nm浸沒式光刻機系統在市場大獲成功,迅速崛起,並成功壟斷了更爲先進的EUV光刻機,目前ASML已經成爲了全球光刻機市場的絕對霸主。

根據統計數據顯示,2020年全球半導體光刻機總銷量約413台,銷售額約130億美元,其中用於晶圓制造的基本均爲ASML、尼康和佳能三家公司的產品。如果以銷量來看,ASML銷售258台佔比62%(其中EUV光刻機出貨量已經達到 31台),佳能銷售122台佔比30%,尼康銷售33台佔比8%;如果以銷售額來看,ASML的份額高達近90%。

近年來,尼康和佳能也主要生存於價格相對低廉的成熟制程所需的光刻設備市場。

尼康曾表示,將於2024年夏季推出用於成熟技術的曝光機新產品。使用了早在1990年代初就已經實用化,被稱爲「i-line的老一代光源技術。尼康強調,這是着眼於制造功率半導體等產品的需求。市場觀點表示,尼康使用成熟的電子零組件與技術,價格將能比競爭對手便宜2~3成左右。

在光刻機市場競爭乏力的佳能,今年也开始轉向不同於光刻的另一條技術路线。

今年10月中旬,佳能公司宣布开始銷售基於“納米壓印”(Nanoprinted lithography,NIL)技術的芯片生產設備 FPA-1200NZ2C。佳能表示,該設備採用不同於復雜的傳統光刻技術的方案,該設備在不用EUV光刻機的情況下制造5nm芯片。



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