導讀 據行業人士透露，英偉達已與三星就3納米GAA工藝制程進行了接洽，預計在2025年實現量產。這進一步證實了之前報道的下一代英偉達旗艦顯卡RTX 5090將採用3納米工藝，並有望在明年年底推出。 據了解...
據行業人士透露，英偉達已與三星就3納米GAA工藝制程進行了接洽，預計在2025年實現量產。這進一步證實了之前報道的下一代英偉達旗艦顯卡RTX 5090將採用3納米工藝，並有望在明年年底推出。 據了解，英偉達RTX 40系顯卡代號爲Ada Lovelace，而下一代RTX顯卡的代號爲Blackwell。Blackwell的晶體管數量將超過150億，密度接近3億/mm?，核心時鐘將超過3 GHz，總线密度將達到512 bits。 根據早前外媒泄露的消息，基於GB102的RTX 5090將包含144組SM單元，即18432個CUDA（假設每組SM仍爲128個CUDA），比RTX 4090多出12.5%。此外，RTX 5090還將配備96MB二級緩存，匹配GDDR7顯存（384bit位寬），並支持PCIe 5.0 x16。 微星在台北Computex電腦展上展示了下一代英偉達RTX旗艦顯卡的散熱設計。根據展示圖，微星採用了動態雙金屬鰭片（Dynamic Bimetallic Fin），六條貫穿式純銅熱管以及大面積鋁質鰭片中嵌入的銅片，進一步增強了散熱效果。同時，顯存區域也有對應的銅片，這表明下一代顯卡將着重設計散熱系統。 下一代英偉達旗艦顯卡RTX 5090的技術規格令人期待，尤其是其超高的晶體管數量和密度，以及強大的散熱設計。
標題：英偉達即將發布3nm顯卡：RTX 5090芯片規格曝光
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