日本媒體報導，微影曝光設備龍頭艾司摩爾 (ASML) 執行副總裁 Christophe Fouquet 近日在比利時 imec 年度盛會 ITF World 2023 表示，半導體產業需要 2030 年代開發數值孔徑 0.75 的超高 NA EUV 曝光技術，滿足半導體發展。
Christophe Fouquet 表示，自 2010 年代以來 EUV 技術越來越成熟，半導體製程微縮至 2020 年前後三年，以超過 50% 幅度前進，不過速度可能會在 2030 年代放緩不敷使用。
故 ASML 計劃年底前發表首台商用 High-NA (NA=0.55) EUV 微影曝光設備 (原型製作)，2025 年量產出貨。2025 年開始，客戶就能從數值孔徑為 0.33 傳統 EUV 多重圖案化，切換到數值孔徑為 0.55 High-NA EUV 單一圖案化，降低製程成本，提高產量。
High-NA EUV 預估會有五大客戶：英特爾、台積電、三星、SK 海力士、美光，可最早使用設備。柯林研發、柯磊、HMI 和 JSR 及東京電子等正與 ASML 合作，開發 High-NA EUV 材料與特用化學品。
Fouquet 表示，EUV 光源輸出功率一直穩步增加，ASML 傳統型號 EUV 光源輸出功率為 250W~300W，最新型號 3600D 增加到 350W，現在研究層面已做到 600W，800W 指日可待。
到 2030 年代，使用 High NA EUV 的多重圖案將與單一圖案一起完成，以提高產量，並降低製程成本，需要更高數值孔徑的 EUV 曝光 (NA=0.75)。藉 DUV (乾式)、ArF (浸沒式)、EUV 和 High-NA EUV 技術形成圖案的每個電晶體成本都不斷變化，考量到新技術價格一定高於 EUV 每套 3 億美元，High-NA EUV 價格將非常可觀，但仍取決於客戶要求和開發成本。
(首圖來源：ASML)
標題：ASML：數值孔徑 0.75 超高 NA EUV 微影曝光設備 2030 年登場
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