ASML:數值孔徑 0.75 超高 NA EUV 微影曝光設備 2030 年登場

2023-06-20 17:00:00    編輯: Atkinson
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日本媒體報導,微影曝光設備龍頭艾司摩爾 (ASML) 執行副總裁 Christophe Fouquet 近日在比利時 imec 年度盛會 ITF World 2023 表示,半導體產業需要 2030 年代開發數值孔徑 0.75 的超高 NA EUV 曝光技術,滿足半導體發展。

Christophe Fouquet 表示,自 2010 年代以來 EUV 技術越來越成熟,半導體製程微縮至 2020 年前後三年,以超過 50% 幅度前進,不過速度可能會在 2030 年代放緩不敷使用。

故 ASML 計劃年底前發表首台商用 High-NA (NA=0.55) EUV 微影曝光設備 (原型製作),2025 年量產出貨。2025 年開始,客戶就能從數值孔徑為 0.33 傳統 EUV 多重圖案化,切換到數值孔徑為 0.55 High-NA EUV 單一圖案化,降低製程成本,提高產量。

High-NA EUV 預估會有五大客戶:英特爾、台積電、三星、SK 海力士、美光,可最早使用設備。柯林研發、柯磊、HMI 和 JSR 及東京電子等正與 ASML 合作,開發 High-NA EUV 材料與特用化學品。

Fouquet 表示,EUV 光源輸出功率一直穩步增加,ASML 傳統型號 EUV 光源輸出功率為 250W~300W,最新型號 3600D 增加到 350W,現在研究層面已做到 600W,800W 指日可待。

到 2030 年代,使用 High NA EUV 的多重圖案將與單一圖案一起完成,以提高產量,並降低製程成本,需要更高數值孔徑的 EUV 曝光 (NA=0.75)。藉 DUV (乾式)、ArF (浸沒式)、EUV 和 High-NA EUV 技術形成圖案的每個電晶體成本都不斷變化,考量到新技術價格一定高於 EUV 每套 3 億美元,High-NA EUV 價格將非常可觀,但仍取決於客戶要求和開發成本。

(首圖來源:ASML)



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