新能源車 SiC-MOSFET 發展分析

2023-06-14 07:30:00    編輯: TrendForce 集邦科技
導讀 SiC-MOSFET 在耐高壓高溫、開關頻率等新能源車重視的關鍵參數表現皆優於 Si-IGBT,晶片面積也僅 Si-IGBT 20%,組成模組與電控零件後可大幅降低體積和重量,即使加上提早「強推」S...


SiC-MOSFET 在耐高壓高溫、開關頻率等新能源車重視的關鍵參數表現皆優於 Si-IGBT,晶片面積也僅 Si-IGBT 20%,組成模組與電控零件後可大幅降低體積和重量,即使加上提早「強推」SiC-MOSFET 裝車的高成本代價,也比靠增加電池數量提升續航力的成本效益表現更佳。電控零件體積縮小也形成許多附加價值,如節省空間、更高整合度系統設計的可能、提高生產效率等。

▲ 高壓電控SiC-MOSFET市場規模預估。(Source:拓墣產業研究院整理,2023.6)

IDM廠主導市場發展,車廠直接採購以保障來源穩定

SiC-MOSFET相較邏輯晶片價值較低,且不需要太高階製程,故代工效益不高,因此市場發展幾乎由IDM廠主導。借鑑新能源車發展初期受動力電池產能束縛的經驗,車廠SiC發展初期便積極與IDM廠合作以綁定產能,且目前採用SiC-MOSFET的車款多是車廠自行設計電驅系統的高階車款,故車廠直接打破階層,以更靈活策略購買晶片自行後續組裝,成為此產業鏈多元化發展之一。

發展前景仍充滿變數,SiC產業需把握5年黃金期

SiC-MOSFET良率和產能建置都尚未完善,能被車廠採用是因電池技術推動緩慢,但隨著各電池廠持續投入資源發展更高能量密度的電池,以及日韓重點發展氫能源技術等,都顯示車廠提升新能源車續航力並非只有SiC可選。故SiC產業需把握5年內黃金期,改善良率,持續最佳化能量轉換效率、降低成本與提高產能,並透過具高外溢效應的新能源車產業增加其他產業滲透率,如再生能源、智慧電網與工業用電等,提高商業模式健康度。

(首圖來源: CC BY 2.0)



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