導讀 SiC-MOSFET 在耐高壓高溫、開關頻率等新能源車重視的關鍵參數表現皆優於 Si-IGBT，晶片面積也僅 Si-IGBT 20%，組成模組與電控零件後可大幅降低體積和重量，即使加上提早「強推」S...
SiC-MOSFET 在耐高壓高溫、開關頻率等新能源車重視的關鍵參數表現皆優於 Si-IGBT，晶片面積也僅 Si-IGBT 20%，組成模組與電控零件後可大幅降低體積和重量，即使加上提早「強推」SiC-MOSFET 裝車的高成本代價，也比靠增加電池數量提升續航力的成本效益表現更佳。電控零件體積縮小也形成許多附加價值，如節省空間、更高整合度系統設計的可能、提高生產效率等。
▲ 高壓電控SiC-MOSFET市場規模預估。（Source：拓墣產業研究院整理，2023.6）
IDM廠主導市場發展，車廠直接採購以保障來源穩定
SiC-MOSFET相較邏輯晶片價值較低，且不需要太高階製程，故代工效益不高，因此市場發展幾乎由IDM廠主導。借鑑新能源車發展初期受動力電池產能束縛的經驗，車廠SiC發展初期便積極與IDM廠合作以綁定產能，且目前採用SiC-MOSFET的車款多是車廠自行設計電驅系統的高階車款，故車廠直接打破階層，以更靈活策略購買晶片自行後續組裝，成為此產業鏈多元化發展之一。
發展前景仍充滿變數，SiC產業需把握5年黃金期
SiC-MOSFET良率和產能建置都尚未完善，能被車廠採用是因電池技術推動緩慢，但隨著各電池廠持續投入資源發展更高能量密度的電池，以及日韓重點發展氫能源技術等，都顯示車廠提升新能源車續航力並非只有SiC可選。故SiC產業需把握5年內黃金期，改善良率，持續最佳化能量轉換效率、降低成本與提高產能，並透過具高外溢效應的新能源車產業增加其他產業滲透率，如再生能源、智慧電網與工業用電等，提高商業模式健康度。
（首圖來源： CC BY 2.0）
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標題：新能源車 SiC-MOSFET 發展分析
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