盛美半導體設備今（17 日）宣布，其 2024 年推出的 Ultra Fn A 等離子增強型原子層沈積爐管設備（PEALD）已初步通過中國半導體客戶的工藝驗證，正進行最後優化和為邁入量產做準備。
同時，其 2022 年推出的 Ultra Fn A 熱原子層沈積爐設備（Thermal ALD）也已成功通過另一間領先的中國客戶的工藝驗證，性能參數可以跟國際大廠競爭。
盛美半導體設備董事長王暉表示，積體電路（IC）製程越來越依賴階梯覆蓋率以及高品質的精准薄膜沈積技術。應對如氮化碳矽、氮化矽薄膜和高低介電常數薄膜等沈積材料所帶來的複雜挑戰，需要真正的創新，而 ACM 的研發團隊憑藉先進原子層沈積（ALD）平台和製程，已逐步接近和完成這一目標。
盛美半導體的 Ultra Fn A ALD 立式爐設備產品包括熱原子層沈積（Thermal ALD）和等離子體增強原子層沈積（PEALD）兩種配置，可執行硬光罩層、阻擋層、間隔層、側壁保護層、介質填充等多種薄膜沈積任務，滿足目標製程應用的各種需求。
這兩種配置均採用六單元系統，可批量處理多達 100 片 300mm 晶圓。該設備還包括四個裝載端口系統（裝載區可控制氧氣濃度）、一個集成供氣系統（IGS）和一個原位乾法清洗系統，所有設計均符合 SEMI 標准。
盛美半導體設備的Ultra Fn A PEALD設備當前應用沈積氮化矽（SiN）薄膜。該機具採用雙層管設計以及氣流平衡技術，能顯著提升晶圓內（WIW）和晶圓間（WTW）的均勻性。通過採用等離子增強技術，該設備還可有效降低器件的熱預算。此外，透過微調前驅體在前置單元中的存儲和釋放量，能達成控制器件的關鍵尺寸和圖案輪廓。
至於 Ultra Fn A 碳氮化矽（SiCN）熱模式原子層沈積爐管設備，已通過中國 IC 製造客戶的驗證。該設備實現超薄、無空隙的薄膜沈積，可精確控制薄膜厚度，達到原子級別的沈積精度，另實現精確的碳摻雜，從而提升薄膜的硬度和耐腐蝕性。此外，該設備還具有內置的乾法清潔功能，確保顆粒的穩定性。
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標題：盛美半導體兩款 ALD 設備，再獲市場驗證
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