導讀 近日，我國半導體產業迎來了一項裏程碑式的成就。據國家電力投資集團官方宣布，其下屬的國電投核力創芯（無錫）科技有限公司，暨國家原子能機構核技術（功率芯片質子輻照）研發中心，已成功完成了首批氫離子注入性...
近日，我國半導體產業迎來了一項裏程碑式的成就。據國家電力投資集團官方宣布，其下屬的國電投核力創芯（無錫）科技有限公司，暨國家原子能機構核技術（功率芯片質子輻照）研發中心，已成功完成了首批氫離子注入性能優化芯片產品的客戶交付。這一壯舉標志着我國在半導體制造的關鍵領域——氫離子注入技術上，實現了核心技術和工藝的完全自主掌握，填補了國內半導體產業鏈的重要空白。
氫離子注入作爲半導體晶圓制造中僅次於光刻的關鍵環節，對於集成電路、功率半導體以及第三代半導體等多種類型產品的制造具有不可替代的作用。長期以來，由於該領域核心技術及裝備工藝的缺失，我國半導體產業的高端化發展受到嚴重制約，尤其是高壓功率芯片（600V以上）長期依賴進口。
面對外國技術封鎖和裝備禁運的不利局面，核力創芯團隊在短短三年內，憑借堅韌不拔的科研精神和卓越的技術創新能力，成功突破了多項關鍵技術壁壘，實現了從技術研發到設備制造的全面國產化。這不僅彰顯了我國半導體產業的自主創新能力，也爲後續半導體離子注入設備和工藝的國產替代奠定了堅實的基礎。
此次交付的首批芯片產品，經過了長達近1萬小時的嚴格工藝和可靠性測試驗證，其主要技術指標已達到國際先進水平，並獲得了用戶的高度評價。這一成果不僅是對我國半導體產業技術實力的一次有力證明，也爲我國在全球半導體產業鏈中爭取更多話語權提供了有力支撐。
展望未來，隨着氫離子注入核心技術的全面國產化，我國半導體產業將有望擺脫對外依賴，實現更加自主、可控的發展。同時，這也將爲我國在高端功率芯片、集成電路等關鍵領域實現技術突破和產業升級提供有力保障。
標題：我國又一半導體關鍵技術突破 不亞於光刻技術
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