導讀 來源：環球網 【環球網科技綜合報道】9月12日消息，據路透社等媒體報道，德國半導體制造商英飛凌於當地時間周三宣布，在氮化鎵（GaN）芯片領域取得技術突破，並計劃在未來不斷增長的市場中佔據顯著份額。該...
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【環球網科技綜合報道】9月12日消息，據路透社等媒體報道，德國半導體制造商英飛凌於當地時間周三宣布，在氮化鎵（GaN）芯片領域取得技術突破，並計劃在未來不斷增長的市場中佔據顯著份額。該公司首席執行官Jochen Hanebeck向媒體透露，預計到2020年，氮化鎵芯片技術的市場規模將達到數十億美元。
英飛凌
氮化鎵作爲芯片制造中硅的替代品，因其高效率、高速度、輕量化以及在高溫和高電壓環境下的優異性能而受到業界青睞。這種新型芯片可廣泛應用於筆記本電腦、智能手機和電動汽車等設備的充電器制造中，有助於實現充電器的小型化。
Hanebeck表示，英飛凌已成功在300毫米晶圓上生產出氮化鎵芯片，據稱這是全球首次實現這一技術突破。相比200毫米晶圓，300毫米晶圓上可容納的氮化鎵芯片數量提高了2.3倍，從而有效降低了生產成本。他進一步指出，這一技術進步將使氮化鎵芯片的市場價格在未來幾年內有望接近硅芯片的價格水平。
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標題：英飛凌宣布氮化鎵芯片技術突破，瞄准數十億美元市場
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