近年來，荷蘭商艾司摩爾 (ASML) 生產的 EUV 曝光機成為先進半導體生產供應鏈的關鍵一環。目前 ASML 有秩序的執行其發展藍圖，首個階段是在標準 EUV之後，就將迎接 High-NA EUV 設備。對此，在 2023 年末，ASML 就已向英特爾交貨了業界首套 High-NA EUV 曝光機。而且，ASML 上週也證實，將在 2024 年底前向台積電交貨 High-NA EUV 曝光機。雖然，半導體業界才剛準備邁入 High-NA EUV 的時代，但是 ASML 已經開始對更新一代 Hyper-NA EUV 進行技術研究，尋找合適的解決方案。

根據 EETimes 報導，ASML 公布了更新一代 Hyper-NA EUV 曝光機的技術藍圖，目前仍處於開發的早期階段。ASML 前技術長 Martin van den Brink 在 2024 年 5 月舉行的 imec ITF World 的演講中表示，長遠來說，Hyper-NA EUV 曝光機需要改進在於光源系統，必須採用 Hyper-NA 基礎，同時還需要將所有系統的生產效率提升到每小時 400 到 500 片晶圓的速度。

ASML 計劃在 2030 年左右正式推出 Hyper-NA EUV 曝光機，數值孔徑將達到0.75。相較之下，High-NA EUV 提供的數值孔徑為 0.55，標準 EUV 則是 0.33。而隨著精度的進一步提高，可達成更高解析度的圖案化及更小的電晶體特徵。對 ASML 而言，未來 Hyper-NA 技術還將推動其整體 EUV 平台，藉此改善成本和交貨時間。

ASML強調，Hyper-NA EUV 技術一定會有一些新的挑戰，比如光阻劑，需要變得更薄。按照 imec 圖案化專案總監 Kurt Ronse 的說法，High-NA EUV 應該可以含括 2 奈米到 1.4 奈米的節點織成，之後還將再到 1 奈米甚至 0.7 奈米的節點製程。在那之後，Hyper-NA EUV 將開始接續任務。

2022 年接受媒體採訪時，Martin van den Brink 就表示，ASML 進行 Hyper-NA EUV 研究計畫的主要目標是提出智慧型的解決方案，使技術在成本和可製造性方面保持可控狀態。不過，Martin van den Brink 擔心成本核可製造性上可能都會代價高得驚人，如果製造成本成長速度與當前 High-NA EUV 一樣，那麼商業化這件事從經濟面來看幾乎是不可行。

不過，Martin van den Brink 於 2023 年再次談到 Hyper-NA EUV 技術之際，似乎增加了很多的信心，認為 Hyper-NA EUV 將是一個機會，將成為 2030 年之後的新願景。Hyper-NA EUV 相比 High-NA EUV 上採用雙重曝光的成本更低，同時也為 DRAM 產業的發展帶來了新機會。

(首圖來源：ASML)