導讀 英特爾宣布完成業界首台商用高數值孔徑曝光機（High NA EUV）組裝，外界好奇台積電看法，近日台積電業務開發資深副總經理張曉強表示，台積電 A16 製程不一定要用艾司摩爾（ASML）High-N...
英特爾宣布完成業界首台商用高數值孔徑曝光機（High NA EUV）組裝，外界好奇台積電看法，近日台積電業務開發資深副總經理張曉強表示，台積電 A16 製程不一定要用艾司摩爾（ASML）High-NA EUV。
張曉強指雖然對 High-NA EUV 能力印象深刻，但設備價格過高，因此台積電目前設備可再用幾年，即生產 A16 製程。
一般來說，晶片製造商可用舊設備生產先進晶片，前提是生產時需將原始設計分成多部分。晶片逐漸微縮，英特爾和台積電將術語改成「埃米」，A16 等於 1.6 奈米。
當製造解析度低於 2 奈米晶片，就需要能精細印刷電路的設備。張曉強指現有 EUV 能力可支援晶片生產到 2026 年底，屆時 A16 製程將根據目前藍圖推出。
英特爾 High NA EUV 設備生產 Intel 14A 製程，假設台積電和英特爾埃米術語相似，很可能同時間採用較新設備。
英特爾計畫 2025 年 Intel 18A 驗證及 Intel 14A 量產，同時使用 0.33 NA EUV 和 High-NA EUV，以達到最佳製程平衡與成本效益。英特爾表示，High-NA EUV 可減少掩膜數量，提高解析度並簡化晶片製程。掩膜含晶片設計，舊機器需依賴更多掩膜產生更清晰結果。
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