綜合外媒報導，ASML 與英特爾本週宣布達成重要裏程碑，其最先進 High-NA EUV 曝光機 Twinscan EXE：5000 的主要元件已經啟動，即首度打開光源並使光線到達晶圓上的抗蝕層，並開始運作，表示光源和反射鏡已正確對準。這是啟動過程中的關鍵一步，儘管尚未達到峰值性能。
ASML 的 High-NA EUV 曝光機將提供 0.55 數值孔徑的投影光學器件，單次曝光解析度可低至 8 奈米，比單次曝光 13.5 奈米解析度的典型 Low-NA EUV 還低。第一套系統目前安置在 ASML 荷蘭 Veldhoven 實驗室，第二套系統正在英特爾奧勒岡廠組裝。
ASML 發言人 Marc Assinck 解釋，從技術講，這種「第一束光」實際上是「晶圓上第一束光」，表示光源已經開始工作，現在我們在晶圓上「抗蝕」光子。 ASML 專家仍在荷蘭校準 High-NA 工具，因此該機器尚未列印出第一個測試圖案。
英特爾技術開發總經理 Ann Kelleher 在加利福尼亞州聖荷西舉行的 SPIE 曝光會議上首度透露這一進展，預計這些新系統將主要用於製程開發。
這裏程碑被稱為「矽片上的第一道曙光」，標誌著 ASML 和英特爾在推進半導體製造技術邁出重要一步，預計未來幾年，包括英特爾、三星和台積電在內的領先晶片製造商都將採用 High-NA EUV 曝光技術，英特爾有意在 Intel 14A 製程採用該設備。
光源是所有 EUV 曝光設備中最複雜的部分之一，ASML 和英特爾沒透露 Twinscan EXE 光源的最大性能（瓦特數）。
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