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ASML 和 Imec 在 Veldhoven 的聯合高數值孔徑實驗室即將向芯片制造商敞开大門，开啓高數值孔徑开發的下一階段：准備好工藝技術和相關基礎設施。

芯片制造商很快就能嘗試高數值孔徑 EUV 光刻技術。ASML 高數值孔徑產品开發主管 Greet Storms 周五告訴記者，隨着世界上第一個功能齊全的高數值孔徑工具的組裝接近完成，位於 Veldhoven 的高數值孔徑實驗室將在第一季度准備好接待客戶。

Storms 表示，從之前的光刻轉型中吸取的教訓是，一旦第一個新一代工具可用，就提供訪問權限。EXE:5000 預生產系統一完成就在 Veldhoven 投入使用，而不是將其運送到位於魯汶的長期合作夥伴 Imec（通常是第一個接收下一代光刻設備的地方），從而節省了寶貴的時間。總而言之，該策略將節省大約一年的時間。

High-NA 實驗室由 ASML 和 Imec 聯合運營。其部分功能將作爲共享學習設施，用於开發高數值孔徑工藝技術（根據 Imec 的常用公式），部分功能將允許 ASML 的客戶私人訪問該工具。除了曝光和开發晶圓的能力之外，現場還提供各種計量工具。對於更復雜的實驗，可以將晶圓發送到總部或附近的 Imec 進行進一步處理和測量。

絕密

盡管高數值孔徑工具（有史以來最復雜的機械部件）的完成標志着繼續擴展芯片功能的重要一步，但在該技術准備好進入黃金時期之前，仍然存在一些障礙。抗蝕劑、掩模版和計量工具需要不斷發展，才能以比以往更小的細節創建清晰的印刷品。

一個關鍵的挑战是控制缺陷和线邊緣粗糙度，這是由於光子撞擊晶圓的方式的統計波動而導致的。隨着芯片結構變得越來越小，控制這種所謂的隨機效應變得越來越困難。

此外，增加數值孔徑 (NA)（高數值孔徑從 0.33 增加到 0.55）會降低可用景深，這意味着投影特徵在比芯片制造商習慣的更小的“頻帶”中處於可接受的銳聚焦狀態到。這就需要使用更薄的抗蝕劑層，從而捕獲更少的光子，從而加劇隨機效應。

在使用低數值孔徑 EUV 工具進行模擬和近似實驗後，高數值孔徑實驗室提供了第一個开始解決現實生活中的這一問題和其他關鍵問題的機會。芯片制造商也將很高興能夠在制定他們的絕密高數值孔徑芯片制造配方方面取得先機。

圖片來源：ASML

信心

在展示高 NA 快速推出的另一項舉措中，ASML 最近开始向英特爾運送 EXE:5000 系統，因此甚至在第一個原型完全啓動並運行之前。這種方法是通過徹底的模塊化設計實現的，該設計允許將所有八個模塊組合在一起形成總线大小的工具，以便進行全面的測試和隔離驗證。在參觀其高數值孔徑制造工廠時，ASML 向記者展示了幾個這樣的模塊，這些模塊正在爲今年晚些時候或明年的額外發貨做准備。

與最近媒體的猜測相反，ASML 今年不會推出十種高 NA 工具。一位發言人表示，到 2024 年，這將是“一些”，理解是不是少數。到目前爲止，這家設備制造商已獲得兩位數的訂單，每個邏輯和內存制造商中至少有一個系統已經使用 EUV，再加上日本雄心勃勃的領先代工廠 Rapidus。

將高數值孔徑插入大規模生產存在一些不確定性。盡管英特爾正在全力推進，但據報道台積電和三星可能會採取更加謹慎的態度。ASML 否認了這種冷淡的反應，稱高 NA “顯然是最具成本效益的解決方案”。Greet Storms 表示，該行業將在 2026/2027 年時間內大規模採用。

ASML 最近拆除了總部的辦公空間，爲更多的高數值孔徑制造設施騰出空間，這突顯了其信心。該公司計劃到 2028 年每年出貨 20 個高數值孔徑工具。

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標題：下一代光刻機，ASML充滿信心

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