韓國三星日前與荷蘭半導體設備商 ASML 簽署了價值 1 兆韓圜（約 7.55 億美元）的協議，兩家公司將在韓國投資建造半導體晶片研究工廠，並將在該研究工廠開發新一代 EUV 半導體製造技術。三星電子副董事長兼設備解決方案部門負責人 Kyung Kye-hyun 強調，兩家公司的最新協議將幫助其獲得下一代 High-NA EUV 曝光機。
根據外媒 sammobile 的報導，Kyung 表示三星已經獲得 High-NA EUV 半導體曝光技術的優先權。而且，這次的協議為三星創造了一個機會，可以長期優化 High-NA 半導體曝光技術在 DRAM 和邏輯晶片在生產中的使用。
報導強調，三星與 ASML 的協議，是在韓國京畿道即將建成的晶片研究工廠中，兩家公司的工程師將共同努力改進 EUV 製程技術的半導體生產。另外，三星與 ASML 的交易重點不是將 2 奈米晶片的製造設備引進韓國，重點是與這家荷蘭公司建立合作夥伴關係，以便它可以更好的利用下一代微影曝光設備。
ASML 將在未來幾個月內推出能製造 2 奈米節點晶片的設備。其最新的 High-NA EUV 曝光機的孔徑將從 0.33，提高到 0.55，這將使晶片製造商能夠使用超精細圖案化技術來製造 2 奈米節點晶片。因此，ASML 計劃 2024 年生產 10 台 High-NA EUV，英特爾據說已採購了其中 6 台。未來幾年，ASML 計畫將此類半導體晶片設備的產能提高到每年 20 套。
另外，從 ASML High-NA EUV 曝光機後，三星計劃在 2025 年底開始生產 2 奈米節點製程晶片。然而，與任何技術和計畫一樣，此類晶片的推出也可能會延遲，具體狀況將取決於市場狀況和品質的生產。
(首圖來源：ASML)
標題：英特爾採購六套 High-NA EUV 曝光機給 2 奈米製程用
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