根據日本科技大廠 NIKON 的官方消息，NIKON 宣佈將於 2024 年 1 月發表 ArF 沉浸式曝光機 NSR-S636E，作為半導體生產過程中關鍵層的曝光系統。該系統具有更高生產效率，並具有高水準的套印精度和生產速度。

NIKON 在介紹中表示，隨著數位化轉型的加速，能夠更快的處理和傳輸大量資料的高性能半導體變得越來越重要。而生產先進半導體的技術創新關鍵在於推動電路圖案微縮和 3D 半導體結構，而 ArF 沉浸式曝光機對於這兩種製成技術都至關重要。因為與傳統半導體相較，3D 半導體製造過程中更容易發生晶圓翹曲和變形，因此需要比以往更先進的曝光機進行校正和補償功能。

NIKON NSR-S636E 是一款用於關鍵層的沉浸式曝光機。NIKON 指出，它能較以往有更高的精度來測量晶圓翹曲、扭曲和其他變形，並達成高重疊精度 （MMO ≤ 2.1 nm）。NSR-S636E ArF 沉浸式曝光機採用增強型 iAS，該創新系統可利用在高精度測量和廣泛的晶圓翹曲和畸變校正功能上，達成了高重疊精度 （MMO ≤ 2.1 nm）。此外，生產速度則是增加到每小時 280 片，加上減少停機時間，使得其與當前型號相比，整體生產率提高了 10~15%，已達到 NIKON 半導體曝光設備中最高的生產效率。

此外，NIKON 表示，曝光設備在不犧牲生產效率的情況下，在需要高重疊精度的半導體製造技術中具有優異的性能，例如 3D 半導體。該公司表示，將針對先進邏輯和記憶體、以及 CMOS 圖像感測器和 3D NAND 等 3D 半導體的多樣化需求，已經提出最佳解決方案。

事實上，曝光機是當前先進半導體製造的關鍵之一，目前，ASML、NIKON、CANON 三家企業拿下了市場上絕大多數的市佔率。在 1990 年代之前，NIKON 和 CANON 曾在曝光機市場上拿下主導地位。但隨著 ASML 在最尖端的極紫外 (EUV) 設備的開發競爭中超越，並且隨著極紫外光曝光機的商用普及，使得 ASML 逐漸拿下曝光機市場主導地位。

作為重回市場的策略，NIKON 曾表示，將於 2024 年夏季推出用於成熟技術的曝光機新產品。其使用了早在 1990 年代初就已經實用化，被稱為 「i線」 的老一代光源技術。NIKON 強調，這是著眼於製造功率半導體等產品的需求。市場觀點表示，NIKON 使用成熟的電子零組件與技術，價格將能比競爭對手便宜 2~3 成左右。

另一家曝光機大廠 canon 則是表示，將研發 EUV 曝光機的替代方案，而這一想法也引發了全球半導體產業的關注。據了解，CANON EUV 曝光機替代方案採用了全新的光學系統和製造技術，可以在不使用 EUV 曝光機的情況下，達到高精度的晶片製造。這一突破性的技術進步，預期為全球半導體製造帶來創新與發展。

(首圖來源：官網)