導讀 美光公司最近公布了其顯存（VRAM）的發展藍圖，涵蓋了GDDR7和HBM4E內存技術。目前，美光推出的GDDR6X顯存最高運行帶寬爲24Gbps，容量爲16Gb dies，速度爲96GB/sec。 ...
美光公司最近公布了其顯存（VRAM）的發展藍圖，涵蓋了GDDR7和HBM4E內存技術。目前，美光推出的GDDR6X顯存最高運行帶寬爲24Gbps，容量爲16Gb dies，速度爲96GB/sec。
根據美光的路线圖，到2024年，GDDR7顯存的運行帶寬將達到32Gbps，容量在16至24Gb die之間，並且速度達到128GB/sec。此外，在2026年還將推出更快的GDDR7顯存，其運行帶寬將提升至36Gbps，容量超過24Gb die，並且速度達到144GB/sec。
與此同時，英偉達下一代GeForce RTX 50系列顯卡有望使用美光的GDDR7顯存，並採用32Gbps帶寬。預計該款顯卡將配備一個512位內存總线，在高速性能下可以實現1.5TB / sec的存儲容量。
另外，美光還將在2024年推出8層堆疊的AI和數據中心專用HBM3E內存。同時，他們也計劃在年底或年初推出一個12層堆疊的HBM3E內存產品。這些新產品都將提供高達24GB、超過1.2TB / sec的存儲容量。
隨着技術進步，在未來幾年內，美光將繼續研發更新一代的HBM4內存產品。具體來說，他們計劃在2025年底之前推出48至64GB容量、超過1.5TB / sec傳輸速率的HBM4E內存產品。
總的來說，美光公司的顯存和HBM內存技術在未來幾年將取得顯著進展，並且爲用戶帶來更高水平的性能和存儲能力。
標題：美光公布路线圖：2024 年推出 32Gbps 帶寬的 GDDR7 顯存
地址：https://www.utechfun.com/post/289321.html