日前，韓國記憶體大廠三星獲得美國政府對其在中國的無限期豁免之後，等於三星在中國的工廠將無需特別許可申請，就可進口美國晶片設備來進行升級或擴產的動作。
根據外媒報導，美國政府對三星的無限期豁免，對於三星來說這無疑是一個好消息，而且三星也在取得豁免後，開始確實採取相應措施。消息指出，三星高層已決定將其為在中國西安 NAND Flash 快閃記憶體工廠升級到 236 層堆疊的技術，並準備開始大規模擴產動作。
報導引用消息人士的說法指出，三星已開始預定和購買最新的半導體設備以用於接下來的製程轉換動作。預計，新設備將在 2023 年底交貨，並在 2024 年於西安工廠陸續引進可生產第 8 代 NAND Flash 的技術，這也被業界視為在當前全球 NAND Flash 快閃記憶體需求疲軟，導致產能下降的因應計畫。
根據公開資料顯示，三星中國半導體有限公司在 2012 年正是落腳中國西安高新區。其中，三星半導體西安工廠，是該公司唯一的海外記憶體半導體生產基地，於 2014 年開始運營，並在 2020 年增建第二座工廠後，主要以生產 128 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體為主，月產能達 20 萬片 12 吋晶圓，佔三星 NAND Flash 產總量的 40% 以上。在此基礎上，三星計畫 2024 年在西安工廠內安裝，並逐步轉換製成設備，用意生產 236 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體。
資料同時顯示，三星中國西安工廠的第一期工程投資 108.7 億美元，而在2017 年開始，三星開始展開第二期工程，兩期工程先後共投資了 150 億美元。
(首圖來源：官網)
標題：取得美國無限期豁免，三星展開中國西安工廠製程轉換動作
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