導讀 美光公司今天宣布，其1β工藝節點技術進一步拓展，推出了16GB DDR5內存。這款新型內存採用先進的高k CMOS器件技術，採用4相時鐘和時鐘同步技術，相比上一代產品性能提高50%，每瓦性能提高了3...
美光公司今天宣布，其1β工藝節點技術進一步拓展，推出了16GB DDR5內存。這款新型內存採用先進的高k CMOS器件技術，採用4相時鐘和時鐘同步技術，相比上一代產品性能提高50%，每瓦性能提高了33%。全新1β DDR5 DRAM產品线的模塊密度從4800MT/s到7200MT/s，能夠滿足數據中心和客戶端應用的需求。 美光的核心計算設計工程集團公司副總裁Brian Callaway表示：“面向客戶端和數據中心平台的1β DDR5 DRAM的大批量生產和可用性標志着行業的一個重要裏程碑。我們與生態系統合作夥伴和客戶的合作將推動這些高性能內存產品的更快普及。” 美光的1β技術還支持多種基於內存的解決方案組合，包括使用16GB、24GB和32GB DRAM芯片的DDR5 RDIMM和MCRDIMM，使用16GB和24GB DRAM芯片的LPDDR5X、HBM3E和GDDR7，16GB DDR5 內存產品將通過直銷和渠道合作夥伴方式銷售。 值得一提的是，行業分析機構TechInsights發現，iPhone 15 Pro手機內部採用了美光最新超低功耗D1β（D1b）LPDDR5 16 Gb DRAM芯片，這是業內首次涉足D1β技術。
標題：美光16GB DDR5內存正式問世：性能提升50%，每瓦性能提高33%
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