麻省理工學院（MIT）研究人員開發出一種方法，這項新技術能沉積鹵化物鈣鈦礦奈米晶體（halide perovskite nanocrystals），並精確控制每個晶體的尺寸、數量和位置，進而整合到奈米級 LED （nano LED）。
研究人員展示了 CsPbBr3 奈米晶體的確定性陣列，可調尺寸至小於 50 奈米，位置精度小於 50 奈米。
鹵化物鈣鈦礦是一系列材料，因為優異的光電特性及在高性能太陽能電池、LED 和雷射等器件中的潛在應用而備受關注。
鹵化物過氧化物材料已主要應用於薄膜或微米尺寸的設備。如果能在奈米尺度精確整合這些材料，能帶來更卓越的應用，如片上光源（on-chip light sources）、光感測器（PD）和憶阻器（memristors）。根據 MIT 官網，這些高密度 nano LED 陣列可用於片上光通訊和運算、量子光源、顯微鏡及 AR/VR 應用的高解析度顯示器。
其一可能應用是直接在基板上大規模製造 Micro LED，這對 Micro LED 顯示器可能產生重大影響，這項技術可用於在顯示螢幕背板製造 LED，不需要轉移製程。
不過，在奈米尺度上實現鈣鈦礦材料的整合上仍具挑戰性，因為這種材料可能被傳統製造和圖像化技術破壞。
為了克服障礙，MIT 研究小組發明一種技術，可在需要的地方現場生長單個鹵化物鈣鈦礦奈米晶體，並精確控制位置，尺寸小於 50 奈米，一張紙厚度為 10 萬奈米。由於材料是局部生長，所以不需要可能造成損壞的傳統微影步驟。
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