導讀 三星電子正式宣布，採用12nm級工藝的DDR5 DRAM內存芯片已經开啓了量產模式。這種新型內存芯片單顆容量可以達到16Gb(2GB)，最高速度可達7.2Gbps(等效頻率7200MHz)，這相當於...
三星電子正式宣布，採用12nm級工藝的DDR5 DRAM內存芯片已經开啓了量產模式。這種新型內存芯片單顆容量可以達到16Gb(2GB)，最高速度可達7.2Gbps(等效頻率7200MHz)，這相當於每秒鐘可以處理兩個30GB超高清電影。與之前的產品相比，12nm DDR5的功耗降低了多達23％，同時晶圓生產率提高了20％，這將對服務器和數據中心的節能減排產生明顯的貢獻。
值得一提的是，12nm級工藝的DDR5 DRAM內存芯片的开發基於一種新型高K材料，該材料可以提高電池電容並使數據信號出現明顯的電位差，從而更易於准確地區分。此外，三星還在降低工作電壓和噪聲方面取得了新的成果。
另外，去年12月，三星完成了16Gb DDR5 DRAM與AMD處理器平台的兼容性評估，這爲未來發布配備尖端內存技術的設備奠定了堅實的基礎。這種新型內存將會讓計算機運行速度更快、效率更高，爲智能手機、筆記本電腦、平板電腦以及各種科技產品提供更加出色的性能。
標題：三星量產12nm DDR5內存：功耗驟降23％
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