導讀 5 月 18 日消息，三星宣布，採用 12 奈米制程工藝的16GB DDR5 DRAM 已經开始大量生產。 與上一代產品相比，三星 12 奈米的 DDR5 DRAM 的速率達到了 7.2Gbps，功...
5 月 18 日消息，三星宣布，採用 12 奈米制程工藝的16GB DDR5 DRAM 已經开始大量生產。
與上一代產品相比，三星 12 奈米的 DDR5 DRAM 的速率達到了 7.2Gbps，功耗降低了 23%，同時將晶圓的生產效率提高了 20%。
根據三星去年公布的工藝講解，三星在 12 奈米制程技術上使用了一種新的 high-κ 高介電材料，有助於提高電池電容。而在高電容的情況下，數據信號出現明顯的電勢差，更容易進行准確區分。
標題：12nm工藝，三星 16GB DDR5 內存量產，速率達到 7.2Gbps
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