三星990 EVO Plus固態硬盤評測 這個Plus有點猛

2024-10-31 18:33:46    編輯: robot
導讀 說起PCIe5.0固態硬盤,相信大家都會想到那些讀寫破萬兆、佩戴誇張散熱片的高性能產品。但實際上,這些產品僅僅是廠家在“秀肌肉”而已,而且消費群體也不是普通用戶,因此PCIe4.0仍是市場的絕對主力...

說起PCIe5.0固態硬盤,相信大家都會想到那些讀寫破萬兆、佩戴誇張散熱片的高性能產品。但實際上,這些產品僅僅是廠家在“秀肌肉”而已,而且消費群體也不是普通用戶,因此PCIe4.0仍是市場的絕對主力。今年1月三星推出“雙模”產品990 EVO,爲PCIe5.0應用提供了全新的思路,而9月份推出煥新升級版990 EVO Plus,性能得到大幅提升,爲提升生產力的帶來全新選擇。


熟悉三星存儲產品的同學都知道,Plus的定位是升級款產品,並沒有超越系列的範疇。但這次的升級間隔僅有8個月,可見三星顯然已經不滿足小幅度的性能提升,而是通過半導體技術的革新,來尋求同系列的突破。實際上這次的“Plus”帶來的驚喜也確實有點猛,當然PCIe5.0和PCIe4.0雙平台兼容也被繼承了下來。

我們先看一下這款產品的亮點(以2TB爲例)

1、支持PCIe4.0x4和PCIe5.0x2雙模式;

2、配備三星第八代V-NAND TLC原廠閃存顆粒;

3、配備三星5nm工藝制程自研主控芯片,採用鍍鎳塗層;

4、最高順序讀寫速度高達7250MB/s和6300MB/s;

5、最高隨機讀寫性能達到1050K IOPS和1400K IOPS;

6、Intelligent TurboWrite2.0技術,大幅提升了SLC緩存空間,2TB最高可達226GB;

7、電源效率比三星990 EVO固態硬盤提升73%。

1  外觀一覽

三星990 EVO Plus採用和990 EVO完全相同的外包裝設計,依然是清爽的藍色主視覺,搭配產品圖片和大字體的型號標識,只是產品型號從EVO變成了EVO Plus,可見本次升級還是比較低調的。右下方的標籤標識了產品的讀取速度和容量。


三星990 EVO Plus採用黑色的PCB,但正面的散熱標籤比990 EVO稍小一些,這是爲了照顧到單顆NAND芯片版本的美觀,設計風格也稍有變化,最左側是產品的型號,中間部分是S/N編碼等信息,最右側是產品的容量和三個二維碼。標籤還注明了工作的電壓電流,最高理論功耗僅爲6.27W,對於筆記本的電池續航非常友好。


三星990 EVO Plus採用單面元器件方案,降低發熱的同時也提升了對於筆記本等緊湊型產品的兼容性,背面大面積的敷銅线路不僅有效提升了抗幹擾性能,而且提升了傳熱效果,NAND FLASH芯片的位置同樣貼有銅箔散熱片,進一步提升散熱效率。


揭开正面的標籤,可見元器件布局也與990 EVO基本相同,依然是DRAMLess無外置緩存設計,主要部件爲主控芯片和一顆NAND FLASH存儲芯片,主控旁邊的黑色小芯片是電源管理芯片,旁邊圍繞着大量的貼片電容電阻元器件。


5nm制造工藝的主控芯片型號與990 EVO相同,但表面採用創新的鍍鎳設計,進一步提升了散熱效率,加上內置的三星動態散熱保護機制(DTG),最大限度減少過熱的情況。同時,這顆主控依然支持PCIe4.0x4和PCIe5.0x2兩種傳輸模式,可根據M.2插槽支持的PCIe版本自動切換,尤其是運行在PCIe5.0x2模式,關閉兩條PCIe通道會降低功耗,更省電、發熱量更低。


核心元件升級到了三星最新的第八代V-NAND TLC原廠閃存芯片,236層堆疊大幅提升了存儲密度,例如我們測試的這款使用了單顆就可達到2TB,旁邊的焊盤再加焊一顆就可達到4TB容量。除此之外,閃存的I/O接口帶寬也提升至2400MT/s,這也是990 EVO Plus最高讀寫速率達到7250MB/s和6300MB/s,以及隨機性能高達1050K IOPS和1400K IOPS的關鍵,同時功耗也降低16%。


2  基准性能測試

作爲三星990 EVO的升級版,990 EVO Plus不僅在讀寫性能方面進行大提速,還延續了PCIe4.0x4+PCIe5.0x2“雙模”設計,因此同樣具備低功耗優勢。基准測試,我們從順序讀寫性能、隨機性能和SLC Cache三個維度展开。下面是我們本次的測試平台。


由於AMD X670E主板的M.2插槽支持PCIe版本切換,所以在BIOS中就能限定運行在5.0或4.0模式。Crystal Disk info顯示990 EVO Plus支持PCIe4.0x4和PCIe5.0x2,在24℃室溫下通電15分鐘,闲時溫度分別爲50℃和48℃,可見在PCIe5.0x2模式會有更低的發熱量。


由於PCIe4.0x4帶寬與PCIe5.0x2一致,因此三星990 EVO Plus在這兩種模式下順序讀寫性能也是基本相同的。經CrystalDiskMark實測,2TB容量在PCIe5.0x2模式最高順序讀寫速度爲7216.91MB/s和6105.87MB/s,在PCIe4.0x4模式爲7208.85MB/s和6055.98MB/s。


用於對比的TxBench測試結果顯示,三星990EVOPlus在PCIe5.0x2模式最高順序讀寫速度爲7212.982MB/s和6209.903MB/s,PCIe4.0x4模式則爲7185.815MB/s和6198.875MB/s,與Crystal Disk Mark接近。隨機性能採用Crystal Disk Mark的成績,讀寫分別達到了1052K IOPS和1368K IOPS,大幅超越990 EVO,幾乎可與配備DRAM的固態硬盤產品相媲美,在進行大型遊戲、專業剪輯等重度任務時,可進一步提升大量細碎文件的加載效率。


3  進階性能測試

爲了進一步探索三星990 EVO Plus的SLC緩存機制和隨機性能,接下使用專業的存儲測試軟件IOmeter展开進一步測試,並記錄每秒的速度變化生成圖表,每輪測試時間爲40分鐘。

先執行128KB順序寫入測試,通過測試曲线可知,三星990 EVO Plus 2TB一开始連續寫入速度在5600--5700MBps,40秒後SLC緩存用盡,因此空盤時Turbo Cache實爲226GB左右。緩存用盡後TLC穩態直寫速度在1200--1400MBps。24分鐘後主控完成GC回收寫入速度开始提升,從曲线看像麻花一樣在1900--2200MBps之間波動。但日常使用中很少有單次寫入200GB以上數據的情況,因此實際使用中都是全速運行的,體驗非常流暢。


發熱量測試,我們使用IOmeter測試128KB順序寫入,讓三星990 EVO Plus滿載運行,測試時間時間20分鐘,並記錄每分鐘的溫度變化。從溫度圖表可知其最高溫度僅有76℃,不僅比990 EVO要低,通過IOmeter的測試圖形還可以看到動態散熱保護機制(DTG)並沒有介入,可見990EVO Plus的溫度控制十分優秀,應用於筆記本的升級擴容也不用擔心會出現過熱的情況。


4  應用模擬測試

應用模擬,是通過專用的測試軟件模擬出不同的應用場景,來表徵固態硬盤的綜合性能。需要注意的是,測試項目中的PCMARK10和3DMARK在不同的硬件平台(尤其是CPU)跑分存在很大差異,故成績僅供參考。

首先是PCMARK10的完整系統盤測試,該項目將三星990 EVO Plus模擬成系統盤來測試真實環境下的表現。經實測三星990 EVO Plus 2TB的得分4267分,帶寬爲677.32MB/s,平均存取時間爲39μs。


接下來是3DMARK存儲DLC測試,該項目通過對三款遊戲的載入、保存、安裝與錄制來評估固態硬盤的遊戲性能。最終三星990 EVO Plus 2TB的存儲基准測試得分爲4284分,平均帶寬爲735.29MB/s,平均存取時間爲42μs。


最後是FF XIV EndWalker Benchmark遊戲加載模擬測試,這款DEMO能記錄所有測試場景的載入時間,經測試三星990 EVO Plus 2TB全部的轉場載入時間僅爲7.236秒,和配備獨立DRAM緩存的產品基本相近,遊戲性能表現也是不錯的。


5  專屬軟件上手簡單

爲了三星品牌所有存儲產品的集中監控和管理,三星存儲推出了專用管理軟件SAMSUNG Magician(三星魔術師),支持固態硬盤、移動固態硬盤、U盤和存儲卡等全线存儲產品。在Driver Dashboard中的“狀態”選項卡,可顯示三星990 EVO Plus的已寫入的總容量、當前磁盤的剩余空間、工作溫度的變化和測速結果等。


爲了讓用戶輕松了解存儲產品的性能,三星魔術師內建了測速功能,在Performance Benchmark即可測試,普通用戶無需專業軟件也可自行測試三星990 EVO Plus的性能。


三星魔術師還爲三星990 EVO Plus設置了四檔位性能模式,在Performance Optimization可看到Full Performance mode(全性能模式)、StandardMode(標准模式)、Power Saving Mode(節能模式)和Custom Mode(自定義模式),用戶可根據使用的設備和應用場景自由設定。开啓Full PowerMode可關閉固態硬盤的睡眠和空闲狀態,時刻保持性能巔峰,开啓TRIM則可以刪除數據塊中不再使用的數據,讓固態硬盤運行更加高效。


6  寫在最後

現在的NVMe固態硬盤正處於從PCIe4.0向PCIe5.0過渡的時期,三星990 EVO Plus不僅支持滿血PCIe4.0,還兼容PCIe5.0。最令人驚喜的是,它不僅在性能上能與配備獨立緩存的產品相媲美,還實現了更低功耗和發熱量,進一步提升整體效能,可謂物超所值,成爲高性能遊戲和AI任務的優質解決方案。

三星990 EVO Plus率先配備三星第八代V-NAND TLC原廠閃存芯片,顯著提升了存儲性能和能效,而三星原廠芯片更是品質的代名詞,2TB容量高達1200TBW,售後方面還可享受5年質保。現在正處於年中大促雙十一期間,作爲新品上市,三星990 EVO Plus也有着較大的優惠幅度,也是這個雙十一性價比最高的固態硬盤之一,三星原廠品質更是值得信賴,有升級和擴容需求的朋友現在可以入手了。



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