來源：芯智訊
這兩天不少網友都在熱議工信部披露的新款國產氟化氬光刻機光刻機的消息，一時間，各種關於國產光刻機大突破言論滿天飛，甚至還有人一看到“套刻≤8nm”就認爲這是8nm光刻機，也是令人啼笑皆非。
其實，早在6月20日，工信部就曾發布了《首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）》公示，集成電路生產設備一欄當中，就有公示一款氟化氪光刻機和一款氟化氬光刻機。隨後在9月9日，工信部又將該通知重發了一遍：
氟化氪光刻機其實就是老式的248nm光源的KrF光刻機，分辨率爲≤110nm，套刻精度≤25nm；氟化氬光刻機則是193nm光源的ArF光刻機（也被成爲DUV光刻機），但披露的這款依然是幹式的DUV光刻機，而非更先進的浸沒式DUV光刻機（也被稱爲ArFi光刻機）。
從官方披露的參數來看，該DUV光刻機分辨率爲≤65nm，套刻精度≤8nm。雖然相比之前上微的SSA600光刻機有所提升（分辨率爲90nm），但是仍並未達到可以生產28nm芯片的程度，更達不到制造什么8nm、7nm芯片的程度。很多網友直接把套刻精度跟光刻制造制程節點水平給搞混了。
光刻精度主要看的是光刻機的分辨率，65nm的分辨率，那么單次曝光能夠達到的工藝制程節點大概就在65nm左右。
套刻精度則指的是每一層光刻層之間的對准精度。衆所周知，芯片的制造過程，實際上是將很多層的光刻圖案一層一層的實現，並堆堆疊而成。一層圖案光刻完成後，需要再在上面繼續進行下一層圖案的光刻，而兩層之間需要精准對准，這個對准的精度就是套刻精度，並不是指能夠制造的芯片的工藝制程節點。
那么，這個65nm的光刻分辨率、套刻精度≤8nm能夠做到多少納米制程呢？又相當於目前ASML什么水平的光刻機呢？可以對比看下面的ASML光刻機的參數：
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