先前有市場消息指出，中國晶圓代工廠中芯國際和科技大廠華為當前可能已經成功開發了生產尖端晶片的 5 奈米節點製程。然而，再當前無法獲得半導體設備商 ASML 等公司的尖端 EUV 半導體製造設備，因而必須繼續依賴現有的 DUV 機器的情況下，這家華為將無法逐步突破技術的天花板。因此，根據一份新報告指出，華為正設法突破當中，也就是透過大力投資研發相關半導體設備，進一步達到繼續生產尖端晶片的目的。
根據外媒 wccftech 的報導，華為未來的先進半導體設備產線建成之後，佔地約相當於 224 個足球場的大小。而導致這樣情況的原因，在於美國的貿易禁令，讓華為走上一條自給自足的道路。但這條道路將充滿波折和其他障礙，更何況該公司的規劃將需要龐大的資本。
日前日本經濟新聞就曾經報導表示，華為在中國上海附近正在建造一個新的研發中心，主要目標是開發能夠與 ASML、Canon 和 Nikon 等公司所製造的半導體設備來競爭。而目前，與華為合作的代工合作夥伴中芯國際和華虹已經被禁止購買使用 14 奈米 FinFET 和 16 奈米 FinFET 製程的半導體製造設備。
現階段，中芯國際與華虹半導體這中國兩家半導體製造企業只能獲得生產 28 奈米以上製程的 DUV 系統，與美國同業相較處於嚴重劣勢。再加上在先進半導體 EUV 曝光機市場中，超過 90% 的市佔率被 ASML 所控制，華為無法取得的情況之下，成為了自行研發設施發展的原因。到目前為止，該公司已投資約 16.6 億美元的資金。預計未來研發完成之後，其建構產線的面積將相當於 224 個足球場，可容納超過 35,000 名員工。此外，據稱華為也提供了頗具吸引力的薪資待遇來吸引半導體領域的頂尖人才。
報導強調，目前沒有一家中國公司可以招募持有綠卡的美國公民，華為只能僱用當地人才。而且，目前尚不清楚該設施完工後，中芯國際和華為之間的合作關係是否會保持當前的狀況，但目前，如果中芯國際想在主場保持持續發指，就需要獲得一切可能的幫助，藉以突破相關的美國禁令限制。
(首圖來源：華為)
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標題：華為大投資開發半導體設備，未來產線規模將達 224 個足球場
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