台積電改變想法?ASML 證實年底交貨 High-NA EUV 曝光機

2024-06-06 10:45:00    編輯: Atkinson
導讀 半導體曝光機大廠艾司摩爾 (ASML) 已交貨英特爾 (Intel) 首台商用 High-NA EUV 曝光機並安裝完畢,英特爾院士 Mark Phillips 確認設備年底啟用。相較英特爾,似乎不...


半導體曝光機大廠艾司摩爾 (ASML) 已交貨英特爾 (Intel) 首台商用 High-NA EUV 曝光機並安裝完畢,英特爾院士 Mark Phillips 確認設備年底啟用。相較英特爾,似乎不急著加入競賽,台積電已於荷蘭技術論壇表明不立即購入這款昂貴半導體製造設備。

台積電表示幾年內都不需要高階 EUV,且價格也非常高昂。分析師預測,台積電可能要到 2030 年甚至更晚才會購入 EUV。

不過才過幾個月,台積電似乎改變想法。外媒報導,ASML 發言人 Monique Mols 說年底會交貨每套價值 3.8 億美元的 High-NA EUV,ASML 財務長 Roger Dassen 也證實,兩大客戶台積電和英特爾年底會收到 High-NA EUV。受此消息影響,ASML 股價開盤後上漲超過 6%。

英特爾 2022 年宣布簽約購買五套 TWINSCAN NXE:3600D,2025 年 Intel 18A 先進製程測試與訓練。先進曝光技術是尖端晶片製造不可或缺的關鍵,且 High-NA EUV 有望降低 66% 晶片大小。ASML 官方透露,High-NA EUV 比標準 EUV 體積大 30%,需三架以上波音 747 貨機運載。

台積電已宣布,2 奈米製程發展順利,並 2025 下半年推出 N3X、N2 製程,2026 下半年量產 N2P 和 A16 先進製程。與已量產 3 奈米不同,將量產的 2 奈米為 Gate-all-around FETs(GAAFET)電晶體,較 3 奈米性能提升 10%~15%,功耗降低 25%~30%。

台積電董事長魏哲家缺席年度技術論壇台北場,改拜訪荷蘭 ASML 總部,外界解讀為台積電對 High-NA EUV 的態度轉變,因接下來先進製程不可或缺性與競爭對手英特爾已購入設備,故台積電下一步動作對維持市場優勢都是關鍵,值得後續觀察。

(首圖來源:英特爾)



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