導讀 曝光機大廠 ASML 於 imec 的 ITF World 2024 宣布，首款 High-NA EUV 曝光機創造晶圓製造速度紀錄，比兩個月前紀錄更快。 ASML 前總裁兼技術長 Martin v...
曝光機大廠 ASML 於 imec 的 ITF World 2024 宣布，首款 High-NA EUV 曝光機創造晶圓製造速度紀錄，比兩個月前紀錄更快。
ASML 前總裁兼技術長 Martin van den Brink 說，新 High-NA EUV 晶圓生產速度達每小時 400~500 片，比標準 EUV 的 200 片快 2~2.5 倍。ASML 已在開發 Hyper-NA EUV，擴展 High-NA EUV 共享潛在藍圖。透過 High-NA EUV 加速，不但提升產能還降低成本。
經進一步調整，ASML 已用實驗機列印生產 8 奈米線寬，是 EUV 的新紀錄，打破 4 月紀錄。當時 ASML 荷蘭總部與 imec 聯合實驗室的實驗版 High-NA EUV 列印 10 奈米線寬。就發展路徑看來，ASML 標準 EUV 可列印 13.5 奈米線寬，新 High-NA EUV 可列印 8 奈米線寬，ASML 證明可滿足基本規格。
Martin van den Brink 強調，ASML 取得進展，整個列印線寬作業至 8 奈米紀錄並校正，還有一定程度重疊覆蓋。ASML 對 High NA EUV 充滿信心，能再突破極限。除了 ASML 自己測試 High NA EUV，唯一有 High NA EUV 的英特爾，也在美國俄勒岡州 D1X 廠測試，預定以 Intel 18A 製程研發與訓練，之後量產 Intel 14A 製程。
(首圖來源：imec)
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標題：ASML High-NA EUV 創紀錄，每小時最高生產 500 片晶圓
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