C114訊 5月11日消息 據國家信息光電子創新中心公衆號消息，近日，國家信息光電子創新中心（NOEIC）和鵬城實驗室的光電融合聯合團隊完成了2Tb/s硅光互連芯粒（chiplet）的研制和功能驗證，在國內首次驗證了3D硅基光電芯粒架構，實現了單片最高達8×256Gb/s的單向互連帶寬。
據了解，團隊在2021年1.6T硅光互連芯片的基礎上，進一步突破了光電協同設計仿真方法，研制出硅光配套的單路超200G driver和TIA芯片，並攻克了硅基光電三維堆疊封裝工藝技術，形成了一整套基於硅光芯片的3D芯粒集成方案。
2Tb/s 硅基3D集成光發射芯粒
2Tb/s 硅基3D集成光接收芯粒
硅光互連芯粒的側向顯微鏡結構
該方案充分利用了硅光與CMOS封裝工藝兼容的特點，相比於傳統wirebond方案，3D芯粒能解決電芯片與光芯片間高密度、高帶寬電互連的困難，顯著降低射頻信號在光-電芯片互連過程中的嚴重衰減。經系統傳輸測試，8個通道在下一代光模塊標准的224Gb/s PAM4光信號速率下，TDECQ均在2dB以內。通過進一步鏈路均衡，最高可支持速率達8×256Gb/s，單片單向互連帶寬高達2Tb/s。
8×224Gb/s硅基光發射芯粒輸出眼圖
據透露，該工作充分展現了3D集成硅光芯粒的優越互連性能，以及聯合團隊的領先自主研發水平。成果將廣泛應用於下一代算力系統和數據中心所需的CPO、NPO、LPO、LRO等各類光模塊產品中，爲國內信息光電子技術的率先突圍探索出可行路徑。
硅光已經是目前全球光模塊市場的主流技術之一。LightCounting此前預計，使用基於SiP的光模塊市場份額將從2022年的24%增加到2028年的44%。
標題：硅光技術重大突破！國內首款2Tb/s三維集成硅光芯粒成功出樣
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