導讀 三星正按計劃生產超過300層的第九代V-NAND閃存，這是業界層數最多的3D NAND產品。根據公司總裁兼存儲器事業部負責人李政培在博客文章中的表述，這種新型閃存採用雙層結構，並預計將於明年年初开始...
三星正按計劃生產超過300層的第九代V-NAND閃存，這是業界層數最多的3D NAND產品。根據公司總裁兼存儲器事業部負責人李政培在博客文章中的表述，這種新型閃存採用雙層結構，並預計將於明年年初开始量產。三星表示，其3D NAND的有效層數將超過競爭對手，目前我們知道SK海力士的下一代3D NAND將具有321層。
增加閃存設備的存儲密度是三星關注的問題之一。同時，該公司還在研究可以最大化V-NAND輸入/輸出速度的新結構。盡管關於第九代V-NAND在性能方面的具體表現尚未公布，但相信該產品將應用於固態硬盤制造，並可能採用PCIe Gen5接口。
此外，三星還致力於最小化單元幹擾、降低高度和最大化垂直層數等技術創新，以實現最小化單元尺寸的目標。這些創新對於推動實現擁有超過1000層的3D NAND以及高度差異化存儲器解決方案的愿景至關重要。
報道指出，在IT行業領域中，三星是全球最大的NAND閃存供應商。然而，競爭對手SK海力士正在努力追趕，在2021年就已展示出了一種新型3D NAND閃存芯片，該芯片採用了更復雜的96層堆疊技術。
標題：三星量產1TB 3D NAND閃存：垂直堆疊層數將超競爭對手
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