導讀 三星電子披露存儲芯片开發進展，展示了對存儲芯片密度極限和突破性材料的雄心。該公司生產出了基於第九代V-NAND閃存產品的產品，並計劃在明年年初實現量產。同時，三星正在开發行業內領先的11nm級DRA...
三星電子披露存儲芯片开發進展，展示了對存儲芯片密度極限和突破性材料的雄心。該公司生產出了基於第九代V-NAND閃存產品的產品，並計劃在明年年初實現量產。同時，三星正在开發行業內領先的11nm級DRAM芯片。爲了實現最小單元尺寸，在即將到來的10nm以下DRAM和超過1000層的V-NAND芯片時代，三星將採用新結構和新材料。
對於AI芯片來說，對三星電子來說也非常重要。該公司已經开始生產HBM3高性能內存芯片，並正在开發下一代HBM3E。李政培表示，三星希望爲客戶提供定制化的HBM芯片。“我們正專注於恰當地應對與超級規模AI等新應用相關的要求”，“我們將繼續推進內存芯片生產线，以克服多樣化的需求和長內存芯片的交付周期。”
標題：三星存儲芯片迎來突破：已开發出第九代V-NAND產品
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