10月14日消息，光刻機大廠佳能（Canon）公司近日通過新聞稿宣布，其已經开始銷售基於“納米印刷”（Nanoprinted lithography）技術的芯片生產設備 FPA-1200NZ2C。佳能表示，該設備採用不同於復雜光刻技術的方案，可以制造5nm芯片。
在半導體制程技術進入5nm節點之後，EUV光刻機已經成爲了不可或缺的關鍵設備。但是，因爲EUV光刻機造價高昂，每台價格超過1億美元，而且EUV光刻機僅荷蘭ASML一家產生能夠供應，且產能有限，這使得芯片的生產成本大幅升高。
爲此，從2017 年开始，半導體設備廠佳能就與存儲芯片大廠鎧俠，以及光罩等半導體零組件制造商大日本印刷株式會社（DNP）合作，在日本三重縣四日市的鎧俠工廠內研發基於納米壓印(NIL) 的量產技術，可以不使用EUV光刻機，就能使制程技術推進到5nm。
佳能表示，這套生產設備的工作原理和行業領導者 ASML 的光刻機不同，其並不利用光學圖像投影的原理將集成電路的微觀結構轉移到硅晶圓上，而是更類似於印刷技術，直接通過壓印形成圖案。
相較於目前已商用化的EUV光刻技術，鎧俠在2021年就曾表示，NIL 技術可大幅減少耗能，並降低設備成本。原因在於NIL 技術的微影制程較爲單純，耗電量可壓低至EUV 技術的10%，並讓設備投資降低至僅有EUV 設備的40%。目前，EUV光刻機只有荷蘭ASML一家能夠生產供應，其不但價格高，而且需要許多檢測設備的配合。
不過，雖然NIL 技術有許多的優點，但現階段在導入量產上仍有不少問題有待解決，其中包括更容易因空氣中的細微塵埃的影響而形成瑕疵。
對鎧俠來說，NAND 零組件因爲採取3D 立體堆疊結構，更容易適應NIL技術制程。鎧俠當時就表示，當前已解決NIL 的基本技術問題，正在進行量產技術的推進工作，希望能較其他競爭對手率先引入到NAND 生產當中。而一旦鎧俠能成功率先引入NIL 技術並實現量產，有望彌補在設備投資競賽中的不利局面，又能符合減少碳排放的需求。
根據DNP 的說法，NIL 量產技術電路微縮程度可達5nm節點，而DNP 從2021 年春天开始，就已經在根據設備的規格值進行內部的模擬仿真當中。而對於這樣的技術進步，DNP 也透露，從半導體制造商對NIL 量產技術詢問度的增加，顯示不少廠商對NIL 技術寄予厚望。
但是，鎧俠在對NIL技術進行測試之後，遭到了潛在客戶提出的投訴，認爲產品缺陷率較高，最後並未實際應用。
作爲關鍵的設備提供商，佳能在推動NIL技術量產NAND的同時，也致力於將NIL 量產技術廣泛的應用於制造DRAM 及PC 用的CPU 等邏輯芯片的設備上，以在未來供應多的半導體制造商，也希望能應用於手機應用處理器等最先進制程上。
此次佳能發布的這套設備可以應用於最小14平方毫米的硅晶圓，從而可以生產相當於5nm工藝的芯片。
佳能表示會繼續改進和發展這套系統，未來有望用於生產 2nm 芯片。
編輯：芯智訊-浪客劍
標題：繞過EUV技術，佳能开始銷售5nm芯片生產設備
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