導讀 美光公司近日公布，該公司生產的單條128GB容量的DDR5內存已經成功出樣。這款內存使用了其今年夏初宣布的32Gb(4GB) DDR5顆粒，這種顆粒採用了單芯片設計，相比多芯片整合封裝而言，具有更高...
美光公司近日公布，該公司生產的單條128GB容量的DDR5內存已經成功出樣。這款內存使用了其今年夏初宣布的32Gb(4GB) DDR5顆粒，這種顆粒採用了單芯片設計，相比多芯片整合封裝而言，具有更高的密度和更容易制作更大容量內存條的特性。 關於這款產品的具體信息，我們目前還不得而知，美光公司只透露了採用1βnm制造工藝和DUV多重曝光技術，並未使用EUV技術。此外，頻率、功耗和電壓等參數亦未公开，據理論分析，相比使用兩顆16Gb的顆粒，採用這種顆粒能夠實現更高的節能效果。 目前，只需四顆這種顆粒即可制作出標准的桌面32GB、服務器128GB內存條，甚至可以實現單條1TB容量。假如使用該技術可以實現單條1TB的內存容量，那么單路系統中包含最多可達12TB的內存容量。 然而關於這款128GB DDR5內存條的發布和規模出貨時間，美光公司並未公布具體時間。另外，三星公司也已經成功开發出32Gb DDR5顆粒並採用12nm級工藝。
標題：美光公布單條128GB容量DDR5內存 採用單芯片設計 1TB容量
地址：https://www.utechfun.com/post/269433.html