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新浪科技訊 北京時間9月5日晚間消息，據報道，英特爾今日與以色列芯片代工廠商高塔半導體（Tower Semiconductor）達成一項新的代工協議。
根據該協議，高塔半導體將向英特爾新墨西哥州Rio Rancho工廠投資3億美元，收購並獲得即將安裝到該工廠的設備和和其他固定資產。屆時，高塔半導體將獲得該工廠每月60多萬張照片層（photo layers）的生產能力，以滿足高塔半導體客戶對下一代300 mm芯片的需求。
高塔半導體CEO Russell Ellwanger對此表示：“這是我們與英特爾朝着多種獨特協同解決方案邁出的第一步。此次合作不僅能讓我們能夠滿足客戶的需求路线圖，還特別關注先進電源管理和絕緣體射頻硅（RF SOI）解決方案，並計劃在2024年進行全流程資格認證。
與此同時，在英特爾向行業領軍企業台積電等競爭對手發起挑战之際，這筆交易也將增強英特爾的代工能力。
2021年，英特爾承諾向新墨西哥州工廠投資35億美元，一年後又宣布向俄亥俄州的一家芯片制造廠投資200億美元。
在過去的一年，英特爾代工服務確實取得了長足發展。今年第二季度，英特爾代工業務的營收爲2.32億美元，同比增長逾300%。英特爾的目標是，在2030年之前成爲全球第二大外部代工廠商。
在達成這筆交易之前，英特爾和高塔半導體剛剛終止了一筆收購交易。去年2月，英特爾宣布將以每股53美元的現金收購高塔半導體，交易總價值約爲54億美元。
但兩家公司上個月宣布，由於無法及時獲得監管機構的批准，雙方已同意終止之前達成的收購協議。根據協議，英特爾將向高塔半導體支付了3.53億美元的分手費。
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責任編輯：劉明亮
標題：收購交易失敗後 英特爾與高塔半導體達成新的代工協議
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